[发明专利]高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种高c轴取向AlN薄膜的制备方法，包括如下步骤：将二硫化钼旋涂于柔性衬底上得到二硫化钼覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述二硫化钼覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；

所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；

所述反应溅射的靶材为铝靶。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述柔性衬底为柔性有机材料衬底；

所述柔性有机材料衬底为有机材料薄膜；

所述有机材料薄膜为聚酰亚胺薄膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜；

所述有机材料薄膜的厚度为5～200μm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：向所述柔性衬底上旋涂所述二硫化钼之前，所述方法还包括用等离子体清洗所述柔性衬底的步骤；

所述等离子体为氩气等离子体。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：利用所述等离子体清洗所述柔性衬底之前，所述方法还包括如下步骤：用丙酮、乙醇和/或去离子水清洗所述柔性衬底；

采用如下步骤将所述二硫化钼旋涂于所述柔性衬底上：将所述二硫化钼分散于水或乙醇中得到二硫化钼的分散液；将所述分散液滴在放置于均胶机的所述柔性衬底上，使所述均胶机旋转，经烘干即可。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述反应溅射在真空度为10^-6～10^-4Pa的条件下进行；

所述工作气体中，所述氮气与所述氩气的体积比为0.2～0.7：1。

控制所述工作气体的流量为6mL/min～60mL/min。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述反应溅射为直流反应磁控溅射，所述反应溅射的磁控溅射源为平面靶磁控溅射源；

所述反应溅射的功率密度为1W/cm²～5.5W/cm²；

所述反应溅射的温度为25℃～30℃；

所述反应溅射的时间为10min～150min；

所述靶材与所述石墨烯覆盖的衬底之间的距离为6cm～8cm；

所述工作气体的压力为0.2Pa～0.8Pa。

7.权利要求1-6中任一项所述方法制备的AlN薄膜；所述AlN薄膜的厚度为400～5000nm。

8.权利要求7所述的AlN薄膜在制备声表面波器件中的应用。

9.二硫化钼在制备AlN薄膜中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述二硫化钼作为所述AlN薄膜的缓冲层。