[发明专利]离子液体中电沉积室温n型BiTeSe热电材料薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510795298.4 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105274598A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 卜路霞;马占林 | 申请（专利权）人： | 天津农学院 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D5/00 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300384*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 液体 沉积 室温 bitese 热电 材料 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种电沉积室温n型BiTeSe热电材料薄膜的制备方法，包括:（1）氯化胆碱基离子液体的制备；（2）BiTeSe电沉积溶液的配制；（3）BiTeSe热电材料薄膜的电沉积；其特征在于：它是采用氯化胆碱基离子液体为溶剂进行BiTeSe电沉积溶液的配制，采用多电流阶跃控电流的电沉积方式进行BiTeSe热电材料薄膜的制备，阴极电流密度的阶跃范围为-50mA/cm2～5mA/cm2。
2.权利要求1所述的制备方法，其特征是氯化胆碱基离子液体指的是：氯化胆碱-丙二酸、氯化胆碱-草酸或氯化胆碱-草酸-丙二酸体系油浴控温共熔制备的低共熔溶剂，其中氯化胆碱：草酸的摩尔比范围为1:1～1:4，氯化胆碱：丙二酸的摩尔比范围为1:1～1:5，氯化胆碱：草酸：丙二酸的摩尔比范围为2:1:1～2:3:6。
3.权利要求1所述的制备方法，其中电沉积方式指的是：单独阴极不同电流密度下阶跃电沉积，或者是阴极阳极同时多电流阶跃电沉积；可以是阴极小电流密度下先沉积再阶跃为阴极较大电流密度下沉积，或者是阴极较大电流密度下先沉积再阶跃为阴极小电流密度下沉积，或者是阴极大电流密度下先沉积再阶跃为阳极小电流密度下沉积；阶跃电流密度可以是两种或两种以上。
4.权利要求1所述的制备方法，其特征是在电沉积过程中，采用油浴控温，温度范围为20℃～140℃，电沉积溶液pH＜3，在带有密封盖可密闭的容器内盛放电沉积溶液，通入氮气保护电沉积溶液。
5.权利要求1所述的制备方法，不仅适用于制备BiTeSe热电材料，也同样适用于制备BiTe、BiSbTe、BiSe、BiSbTeSe热电材料薄膜。
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