[发明专利]一种平板电脑防电源按键误触开机的电路结构在审
申请号: | 201510795328.1 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN105302653A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 李红;汪恒 | 申请(专利权)人: | 合肥宝龙达光电技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/00 | 分类号: | G06F11/00 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 程笃庆;黄乐瑜 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经济技术*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平板 电脑 电源 按键 开机 电路 结构 | ||
技术领域
本发明涉及平板电脑结构技术领域,尤其涉及一种平板电脑防电源按键误触开机的电路结构。
背景技术
平板电脑由于其轻便性和功能多样性,越来越受到广大消费者的喜爱。平板电脑必不可少的一个部件为电源按键,其用于控制平板电脑的开关。当短暂的按下平板电脑的电源按键时,平板电脑就会开机,如此,一旦使用者误触平板电脑的电源按键,平板电脑就有可能会在使用者不知情的情况下开机,造成不必要的能力损耗,会给用户造成困扰,影响用户使用。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种平板电脑防电源按键误触开机的电路结构。
本发明提出的一种平板电脑防电源按键误触开机的电路结构,包括:处理器、控制电路和供电电路;供电电路分别与处理器和控制电路连接,控制电路与处理器连接;
控制电路与电源按键连接,其根据电源按键的开合状态,输出供电控制信号控制供电电路工作状态,并输出触发信号至处理器;处理器根据触发信号向控制电路发送锁存信号控制控制电路对供电控制信号进行锁存。
优选地,处理器内预设有时间阈值,其根据获取的触发信号持续时长向控制电路发送锁存信号。
优选地,时间阈值为0.5S或者1S。
优选地,供电电路设有供电控制信号输入端和工作电压输出端,处理器设有触发信号输入端和锁存信号输出端;控制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第一二极管、第二二极管和第三二极管;
第一MOS管和第二MOS管均为N型MOS管,且S极均接地;第一MOS管的G极连接第三二极管的负极并通过第二电阻接地,第三二极管的正极连接处理器的锁存信号输出端以获取锁存信号;第二MOS管的G极连接第一MOS管的D极,并连接第二二极管的正极,第二二极管的负极连接第一二极管的负极,并连接电源按键以获取电源开关信号;第一二极管的正极连接处理器的触发信号输入端以获取触发信号,第一二极管的正极连接供电电路的工作电压输出端以获取工作电压;
第二MOS管的G极还连接有电源端子以获取供电电压,电源端子还与第二MOS管的D极连接,且第二MOS管的D极连接供电电路的供电控制信号输入端以输送供电控制信号。
优选地,电源端子分别通过第三电阻和第四电阻连接第二MOS管的G极和D极。
优选地,第三电阻的阻值大于第四电阻的阻值。
优选地,第二MOS管的D极还通过第一电容接地。
优选地,第一二极管的正极与供电电路的工作电压输出端之间串联有第一电阻。
优选地,第一二极管、第二二极管和第三二极管均为肖特基二极管。
优选地,供电电路包括电源管理芯片RT7230A,供电控制信号输入端与电源管理芯片连接,工作电压输出端通过外围电路连接至电源管理芯片。
本发明中,控制电路与电源按键连接,其根据电源按键的开合状态,输出供电控制信号控制供电电路工作状态,并输出触发信号至处理器;处理器根据触发信号向控制电路发送锁存信号控制控制电路对供电控制信号进行锁存,从而保证供电电路对处理器和控制电路正常供电,使得平板电脑正常开机。换言之,当触发信号满足不了要求,处理器便无法产生锁存信号控制控制电路对供电控制信号进行锁存,从而供电电路停止对处理器和控制电路正常供电,平板电脑便无法开机。
本发明提供的平板电脑防电源按键误触开机的电路结构,可有效识别电源按键是否误触,且在误触电源按键的情况下,使平板电脑不开机。
附图说明
图1为本发明提出的一种平板电脑防电源按键误触开机的电路结构示意图;
图2为控制电路硬件连接图;
图3为误触电源按键信号电平示意图;
图4为正常开机状态下信号电平示意图;
图5为供电电路硬件连接图。
具体实施方式
参照图1,本发明提出的一种平板电脑防电源按键误触开机的电路结构,包括:处理器、控制电路和供电电路。供电电路设有供电控制信号输入端和工作电压输出端,处理器设有触发信号输入端和锁存信号输出端。供电电路的工作电压输出端分别与处理器和控制电路连接以提供工作电压。参照图5,供电电路包括电源管理芯片RT7230A,供电控制信号输入端与电源管理芯片连接,工作电压输出端通过外围电路连接至电源管理芯片。处理器采用嵌入式控制器EC。
参照图2,控制电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2和第三二极管D3。
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