[发明专利]一种Na2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途

权利要求书

1.一种Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，该Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体不具备有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝108.70°，Z＝4；透光范围为0.5～20μm。

2.一种权利要求1所述Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体的制备方法，其为高温熔体自发结晶法生长Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，其步骤为：

将粉末状Na₂In₂GeSe₆化合物或者将由Na源材料、In源材料、Ge源材料和单质Se按照摩尔比Na:In:Ge:Se＝2：2：1：6比例均匀混合而成的混合物加热至熔化得高温熔液并保持24-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到黄色透明的Na₂In₂GeSe₆晶体；

所述粉末状Na₂In₂GeSe₆化合物的制备如下：

将Na源材料、In源材料、Ge源材料和单质Se按照摩尔比Na:In:Ge:Se＝2：2：1：6的比例混合均匀后，加热至500-850℃进行固相反应，得到Na₂In₂GeSe₆化合物，经捣碎研磨得粉末状Na₂In₂GeSe₆化合物；

所述Na源材料为Na或Na₂Se；

所述In源材料为In或In₂Se₃；

所述Ge源材料为Ge或GeSe₂。

3.一种权利要求1所述Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体的制备方法，其为坩埚下降法生长Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，其步骤如下：

将粉末状Na₂In₂GeSe₆化合物或者将由Na源材料、In源材料、Ge源材料和单质Se按照摩尔比Na:In:Ge:Se＝2：2：1：6比例均匀混合而成的混合物放入晶体生长装置中，缓慢升温至原料熔化，待原料完全熔化后，晶体生长装置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体生长，其生长周期为5-20天；

所述Na源材料为Na或Na₂Se；

所述In源材料为In或In₂Se₃；

所述Ge源材料为Ge或GeSe₂。

4.一种权利要求1所述的Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体的用途，其特征在于，该Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体用于制备非线性光学器件，所述的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。