[发明专利]一种挡光式MEMS VOA

权利要求书

1.一种挡光式MEMSVOA，包括输入光纤(1)、输出光纤(2)、MEMS芯片(4)、反射装置，其特征在于：所述反射装置将输入光纤的输入光反射至输出光纤端，所述MEMS芯片(4)设置有挡光装置(4-1)，挡光装置由挡光板(4-1-1)、连接杆(4-1-2)、散热杆(4-1-3)组成，挡光板(4-1-1)与连接杆(4-1-2)之间设有空腔区域；在掉电状态下调试输入光纤(1)使其与连接杆(4-1-2)对准，连接杆(4-1-2)遮挡由输入光纤(1)进入的输入光产生与其对应的初始衰减值，输出光纤(2)位于空腔区域内不受遮挡有效通光孔径。

2.根据权利要求1所述的一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述连接杆(4-1-2)遮挡输入光纤(1)的不同位置，可控制其对应的衰减初始衰减值范围为5～15dB。

3.根据权利要求1所述的一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述输入光纤(1)和输出光纤(2)是经扩束处理的光纤。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述输入光纤(1)和输出光纤(2)采用双芯毛细管(3)封装。

5.根据权利要求1所述一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述反射装置是G透镜，靠近MEMS芯片的一端镀增透膜，远离MEMS芯片的一端镀高反膜。

6.一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述挡光式MEMSVOA在掉电状态下对应的初始衰减值为5～15dB，并且所述挡光式MEMSVOA在被施加电压后，其对应的衰减值在0.8-40dB范围内变化。

7.一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述挡光式MEMSVOA在掉电状态下对应的初始衰减值为5～15dB，并且所述挡光式MEMSVOA在被施加电压后，随着电压的逐步增加，其对应的衰减值先逐渐降低到0.8dB附近，再逐渐升高到40dB附近。

8.一种挡光式MEMSVOA，包括输入光纤(1)、输出光纤(2)、MEMS芯片(4)、反射装置，其特征在于：所述MEMS芯片(4)设置有加热杆(4-2)、电极(4-3)、可移动的挡光装置(4-1)，挡光装置包括挡光板(4-1-1)、连接杆(4-1-2)、散热杆(4-1-3)，挡光板(4-1-1)与连接杆(4-1-2)之间设有空腔区域；所述空腔区域的宽度大于等于所述输入光纤(1)和输出光纤(2)的直径，高度等于0.75倍-0.8倍的所述输入光纤(1)和输出光纤(2)的直径之和，通过施加电压来调整所述输入光纤(1)和输出光纤(2)处于所述空腔区域的位置范围来调整所述挡光式MEMSVOA的衰减值。

9.根据权利要求8所述的一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述挡光式MEMSVOA在掉电状态下，所述输入光纤(1)的有效通光孔径区域被所述挡光装置(4-1)的连接杆(4-1-2)所遮挡，而输出光纤(2)整体位于空腔区域内，不被遮挡；并且随着施加在所述挡光式MEMSVOA上的电压逐步增加，所述挡光装置(4-1)的连接杆(4-1-2)逐渐远离输入光纤(1)的有效通光孔径区域，从遮挡状态向非遮挡状态逐渐变化，同时，所述挡光装置(4-1)的挡光板(4-1-1)逐渐靠近输入光纤(2)的有效通光孔径区域，从非遮挡状态向遮挡状态逐渐变化。

10.根据权利要求9所述的一种挡光式MEMSVOA，其特征在于：所述挡光式MEMSVOA在掉电状态下对应的初始衰减值为5～15dB，并且所述挡光式MEMSVOA在被施加电压后，其对应的衰减值在0.8-40dB范围内变化。