[发明专利]承载装置及反应腔室有效
| 申请号： | 201510796895.9 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106711061B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李宗兴 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 卡盘 被加工工件 上表面边缘 托盘 压环 电场边缘效应 承载区域 承载装置 边缘处 隔离环 上表面 承载托盘 反应腔室 工艺过程 所在区域 外周壁 环孔 压住 承载 | ||
1.一种承载装置，包括卡盘、隔离环和压环，所述卡盘的上表面包括用于承载托盘的承载区域，所述托盘用于承载被加工工件；所述隔离环套设在所述卡盘的整个外周壁上；所述压环设置在所述卡盘的上表面上，并压住所述托盘的边缘处，其特征在于，所述卡盘的上表面边缘与所述承载区域的边界之间具有径向间距，所述径向间距满足：所述托盘上的被加工工件的边缘处不在所述卡盘的上表面边缘处产生的电场边缘效应所在区域内。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，在所述隔离环的顶部设置有沿所述卡盘的径向向内凸出的第一环形延伸部，所述第一环形延伸部叠置在所述卡盘的上表面边缘处；
在所述压环的底部设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一环形延伸部相互嵌套。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第一环形延伸部的内径大于或者等于所述托盘的外径。
4.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，在所述压环的底部，且位于所述第一环形延伸部的外侧还设置有第一环形凸部，且对应地在所述隔离环的顶部设置有第一环形凹部，所述第一环形凸部与所述第一环形凹部相互嵌套；
所述第一环形凸部的下端低于所述卡盘的上表面。
5.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述第一环形凸部的外径等于或者小于所述压环的外径。
6.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，在所述压环的底部设置有沿所述卡盘的轴向向下凸出的第二环形延伸部，所述第二环形延伸部叠置在所述卡盘的外周壁边缘处；
在所述隔离环的顶部设置有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二环形延伸部相互嵌套。
7.根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，在所述压环的底部，且位于所述第二环形延伸部的外侧还设置有第二环形凸部，且对应地在所述隔离环的顶部设置有第二环形凹部，所述第二环形凸部与所述第二环形凹部相互嵌套；
所述第二环形凸部的下端低于所述卡盘的上表面。
8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述第二环形凸部的外径等于或者小于所述压环的外径。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的承载装置，其特征在于，所述压环的上表面与所述托盘的上表面相平齐，且在所述压环的上表面上设置有环形凸台，所述环形凸台的内径大于所述托盘的外径；
所述环形凸台越靠近所述托盘其厚度越薄。
10.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有承载装置，用于承载托盘，所述托盘用于承载被加工工件，其特征在于，所述承载装置采用权利要求1-9任意一项所述的承载装置。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
