[发明专利]一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器在审

专利信息
申请号: 201510797214.0 申请日: 2015-11-18
公开(公告)号: CN105223709A 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 李克武;王志斌;李晓;陈媛媛;李晋华;张瑞 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 申绍中
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 大通 孔径 视场 纵向 电光 调制器
【权利要求书】:

1.一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:包括第一电极(1)、电光晶体(2)、第二电极(3)、装持盒(4)、高压驱动器(5)和控制计算机(6),所述第一电极(1)和第二电极(3)的直径相同,且均大于电光晶体(2)的直径,所述第一电极(1)、电光晶体(2)和第二电极(3)依次紧贴装入装持盒(4)内,所述第一电极(1)和第二电极(3)紧贴电光晶体(2)的一面上均镀置有圆形氧化铟锡透明电极薄膜(7),外边缘处均镀置有环形导电铜浆(8),所述导电铜浆(8)与氧化铟锡透明电极薄膜(7)连接,所述氧化铟锡透明电极薄膜(7)的直径大于电光晶体(2)的直径且小于第一电极(1)的直径,所述第一电极(1)和第二电极(3)上的导电铜浆(8)均通过通电导线(9)与高压驱动器(5)连接,所述高压驱动器(5)与控制计算机(6)连接。

2.根据权利要求1所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述电光晶体(2)选用电光系数较大的DKDP负单轴晶体作为电光晶体,Z切割DKDP圆形晶片,沿光轴Z通光;所述第一电极(1)选用MgF2正单轴晶体作为基底,Z切割MgF2圆形晶片,沿光轴Z通光,该晶片直径大于DKDP圆形晶片的直径,厚度与DKDP晶片厚度的比值等于波长入射光DKDP的双折射率差值和MgF2的双折射率差值的比值;所述第二电极(3)选用各向同性的石英玻璃作为基底,石英玻璃直径与MgF2圆形晶片直径相同,厚度为2mm。

3.根据权利要求2所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述DKDP圆形晶片的直径为25mm,厚度为1.5mm,所述MgF2圆形晶片的直径为27mm,厚度为5mm,氧化铟锡透明电极薄膜(7)的直径为25.5mm,导电铜浆(8)的圆环宽度为1.5mm,石英玻璃的折射率为1.46,入射光波长为632.8nm。

4.根据权利要求1所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述装持盒(4)采用耐磨、抗蠕变、耐高温和击穿电压较高的绝缘材料尼龙来加工制作。

5.根据权利要求1所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述第一电极(1)和第二电极(3)分别通过折射率为1.47的光学凝胶与电光晶体(2)紧贴。

6.根据权利要求1所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述通电导线(9)穿过装持盒(4)与导电铜浆(8)焊接,且与装持盒(4)通过绝缘胶(10)密封。

7.根据权利要求1所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述高压驱动器(5)输出电压幅值范围为0~15KV,可选择脉冲、方波、正弦或直流电压输出模式,其输出模式及驱动输出电压值均由控制计算机(6)编程可控。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的一种大通光孔径和大视场角的纵向电光调制器,其特征在于:所述电光调制器装调好后,未施加电场时,在针对设计的入射光波长入射时在较大视场角范围内相位延迟为0,不存在静态相位延迟。

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