[发明专利]形成键合焊盘的方法和键合焊盘

权利要求书

1.一种形成键合焊盘的方法，所述方法包括：

提供原键合焊盘；以及

在原键合焊盘的接触表面处形成下凹结构，其中所述下凹结构包括关于接触表面倾斜的侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述侧壁包括在2°和60°度之间的范围中的倾斜角。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述下凹结构通过去除原键合焊盘的表面部分来形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中通过蚀刻步骤来执行去除。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述下凹结构通过在原键合焊盘上沉积额外材料来形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述额外材料是与形成键合焊盘所用的相同的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述下凹结构具有圆锥形式。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述侧壁具有连续的表面。

9.一种用于以键合线进行线键合的键合焊盘，键合焊盘包括在键合焊盘的接触表面中形成的下凹结构，其中所述下凹结构包括关于接触表面倾斜的侧壁。

10.根据权利要求9所述的键合焊盘，其中所述下凹结构具有小于所键合的键合线的直径的尺寸。

11.根据权利要求9所述的键合焊盘，其中所述侧壁具有从由以下组成的组中选出的形式：

圆锥形式，

球形形式，以及

椭球形形式。

12.根据权利要求9所述的键合焊盘，其中所述键合焊盘包括从由以下组成的组中选出的至少一种材料：

铜，

镍，

钼，

钯，

金，以及

其合金。

13.根据权利要求9所述的键合焊盘，其中所述侧壁包括在2°和60°度之间的范围中的倾斜角。

14.根据权利要求9所述的键合焊盘，其中所述键合焊盘具有在25微米和2毫米之间的范围中的厚度。

15.一种芯片设计，包括：

管芯，包括根据权利要求9的键合焊盘；以及

键合线，被键合到键合焊盘的下凹结构。

16.根据权利要求15所述的芯片设计，其中所述键合线延伸超过下凹结构的周围。

17.根据权利要求15所述的芯片设计，其中所述键合线通过超声键合工艺被键合到下凹结构。

18.根据权利要求15所述的芯片设计，其中所述键合线包括从由以下组成的组中选出的至少一种金属：

铜，

金，

铝，以及

银。

19.根据权利要求15所述的芯片设计，其中所述键合线经由楔楔键合工艺或球楔键合工艺被键合到下凹部。