[发明专利]超高纵横比接触件

说明书

本发明涉及一种超高纵横比接触件。具有超高纵横比接触件(116)的半导体装置(100)在衬底(102)中具有深沟槽(118)。电介质衬层(122)形成于所述深沟槽(118)的侧壁及底部上。接触开口(128)穿过所述电介质衬层(122)在所述深沟槽(118)的所述底部处形成以使所述衬底(102)暴露，从而留下所述侧壁上的所述电介质衬层(122)。导电材料(134)形成于所述深沟槽(118)中以穿过所述接触开口(128)将所述超高纵横比接触件(116)提供到所述衬底(102)。

技术领域

本发明涉及半导体装置的领域。更特定来说，本发明涉及半导体装置中的深沟槽结构。

背景技术

半导体装置具有从顶表面到埋层下方的衬底的电气连接。所述电气连接不期望地需要显著的空间及额外光刻处理步骤，显著的空间及额外光刻处理步骤两者不利地增加半导体装置的制造成本及复杂性。

发明内容

以下内容呈现简化发明内容以便提供对本发明的一或多个方面的基本理解。此发明内容并非为本发明的广泛概述，且不希望识别本发明的关键或临界元件，也不希望勾画其范围。事实上，发明内容的主要目的是以简化形式提出本发明的一些概念作为稍后呈现的更详细描述的序言。

半导体装置形成于包括半导体的衬底上。深沟槽形成于所述衬底中且电介质衬层形成于所述深沟槽的侧壁及底部上。接触开口通过所述电介质衬层在所述深沟槽的底部处形成以使所述衬底暴露。导电材料形成于所述深沟槽中以通过所述接触开口将超高纵横比接触件提供到所述衬底。

附图说明

图1为含有超高纵横比接触件的实例半导体装置的横截面。

图2A到图2H为以连续的制造阶段描绘的图1的半导体装置的横截面。

图3为含有超高纵横比接触件的另一实例半导体装置的横截面。

图4为含有超高纵横比接触件的实例半导体装置的横截面。

具体实施方式

涉及以下共同待决的专利申请案且其据此以引用方式并入：第14/555,209号美国专利申请案(德州仪器案件号(Texas Instruments docket number)TI-72532)、第14/555,300号美国专利申请案(德州仪器案件号TI-72572)及第14/555,330号美国专利申请案(德州仪器案件号TI-72683)，所有所述专利申请案与此申请案同时申请。

参考附图描述本发明。图并非为按比例绘制的，且提供所述图以仅说明本发明。下文参考用于说明的实例应用描述本发明的若干方面。应理解，陈述数个特定细节、关系及方法以提供对本发明的理解。然而，相关领域的技术人员将容易地认识到，可无需使用特定细节中的一或多者或使用其它方法来实践本发明。在其它情况下，未详细展示众所周知的结构或操作以避免使本发明模糊。本发明并非由所说明的动作或事件的次序限制，此是由于一些动作可以不同次序及/或与其它动作或事件同时发生。此外，并非需要所有说明的动作或事件来实施根据本发明的方法。

图1为含有超高纵横比接触件的实例半导体装置的横截面。半导体装置100形成于包括基层104的衬底102上。基层104可为(例如)p型块状硅或块状硅之上的p型外延硅。n型埋层106可在衬底102中安置于基层104之上。p型上层108可在衬底102中安置在埋层106上方且延伸到衬底102的顶表面110。埋层106的顶表面112可在衬底102的顶表面110下方5微米到15微米处，且埋层106的底表面114可在埋层106的顶表面112下方的5微米到15微米处。埋层106可实质上跨越如图1中描绘的半导体装置100延伸或可为局部埋层106。