[发明专利]一种高压晶闸管触发板测试平台有效
申请号: | 201510799671.3 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105470160B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 刘亮;郑常桂;李昊;张洁;王伟明 | 申请(专利权)人: | 中冶南方工程技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾;程殿军 |
地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶闸管触发板 测试平台 主控平台 高压晶闸管 触发板 供电状态信号 晶闸管触发信号 吸收保护电路 晶闸管电流 单板测试 低压供电 高压测试 升压电路 实际工况 晶闸管 工业企业 发送 反馈 | ||
本发明涉及一种在低压供电情况下对晶闸管触发板进行高压单板测试的高压晶闸管触发板测试平台,该测试平台解决了工业企业只能提供低压380V或者220V情况下无法模拟实际工况对晶闸管触发板进行高压测试的问题。所述高压晶闸管触发板测试平台包括升压电路、晶闸管吸收保护电路及主控平台;所述主控平台向所述晶闸管触发板发送晶闸管触发信号,所述晶闸管触发板向所述主控平台反馈所述晶闸管触发板的供电状态信号;所述主控平台通过所述供电状态信号和晶闸管电流值判断所述晶闸管触发板是否正常。
技术领域
本发明涉及一种测试平台,具体涉及一种高压晶闸管触发板测试平台。
背景技术
目前,高压晶闸管在高压电力电子装置的应用中越来越广泛,例如:TCR型SVC、TSC型无功补偿装置、高压软启动装置等。高压电力电子装置为了满足高电压等级需求,每相电压的线路一般都由多个高压晶闸管串联而成,同时要求装置在控制过程中每一相中串联的所有高压晶闸管必须同时导通,如果在开通过程中若是有一个或者多个晶闸管未导通,那么相电压必然会全部集中在未导通的晶闸管上,从而造成晶闸管过压损坏,因此,高压晶闸管触发板在生产过程中测试工作尤其重要,特别是采用高位取能方式取电的晶闸管触发板,为了保证整个晶闸管触发板在工作过程中能够正常供电,在高压环境下进行晶闸管单板测试更是必不可少。然而,现在大多数工业企业,企业供电电压一般只有低压380V或者220V,出于电力系统配置和经济原因考虑无法通过电力系统提供电力电子装置实际运行的高电压环境,因此想要实现在做晶闸管触发板高位取能实验的同时进行晶闸管触发实验,必须设计一种在低压供电情况下可以模拟实际工况对晶闸管触发板进行高电压单板测试的测试平台。
发明内容
本发明的目的是针对上述现状,提供一种在低压供电情况下可以进行晶闸管触发板高压单板测试的高压晶闸管触发板测试平台。
本发明采用的技术方案:一种高压晶闸管触发板测试平台,其用于对晶闸管触发板进行高压测试;其特征在于,包括:
一升压电路,其包括调压器、升压变压器及续流电阻;所述调压器的输入端与市电相连接;所述升压变压器的初级侧并联连接到调压器的输出端,其次级侧串联后与续流电阻并联;
一晶闸管吸收保护电路,其包括吸收缓冲电路、反并联晶闸管及限流电抗器;所述吸收缓冲电路、所述反并联晶闸管及所述限流电抗器依次串联后连接在所述续流电阻的两端;所述反并联晶闸管的两端与所述晶闸管触发板连接;
一主控平台,其包括电压互感器、电流互感器、采样板、主控板、上位机及接口板;所述电压互感器与所述调压器的输入端连接;所述电流互感器串联在所述晶闸管吸收保护电路中;所述采样板与所述电压互感器和所述电流互感器相连接;所述主控板与所述采样板、所述上位机及所述接口板相连接;所述接口板与所述晶闸管触发板相连接;
所述主控平台通过所述接口板向所述晶闸管触发板发送晶闸管触发信号,所述晶闸管触发板向所述主控平台反馈所述晶闸管触发板的供电状态信号;所述主控平台通过所述供电状态信号和所述电流互感器采集的晶闸管电流值判断所述晶闸管触发板是否正常。
本发明的效果是:所述高压晶闸管触发板测试平台通过所述升压电路解决了工业企业只能提供低压380V或者220V情况下无法模拟实际工况对晶闸管触发板进行高压测试的问题,并通过所述主控平台对供电状态信号和晶闸管电流值的监控以实现对晶闸管触发板的快速检测。
进一步地,所述主控平台通过所述电压互感器采集所述调压器的输入端的电压,并在不同的输入端的电压相位下向所述晶闸管触发板发送晶闸管触发信号。
进一步地,所述调压器用于将输入的220V或380V的交流电逐渐从0V调节到220V或380V。
进一步地,所述升压变压器多个串联且参数完全一致的变压器。
进一步地,所述续流电阻包括多个串联的电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造