[发明专利]ITO基板及制备方法、OLED器件及制备方法

权利要求书

1.一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板上的ITO，其特征在于，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。

2.一种ITO基板的制备方法，包括以下步骤：

提供一基板，并在所述基板上沉积ITO薄膜；

在所述ITO薄膜上沉积光刻胶层；

对所述光刻胶层依次进行曝光、显影处理，得到侧壁下缘形成弧形的图案化光刻胶层，且所述图案化光刻胶的下表面小于上表面，其中，所述曝光处理的时间为20-30s；所述显影处理的时间为80-100s；

对所述图案化光刻胶层下的所述ITO薄膜进行刻蚀处理形成ITO图案，其中，所述刻蚀处理的时间为40-70s；

进行去胶处理去除所述图案化光刻胶层，得到ITO基板。

3.如权利要求2所述的ITO基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀处理采用湿法刻蚀处理。

4.如权利要求3所述的ITO基板的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀处理的刻蚀液为盐酸、硝酸和水形成的混合溶液，其中，所述盐酸、硝酸和水的体积比为(4-6):1:4，且所述刻蚀液的浓度为7.1-8.0mol/L。

5.如权利要求2-4任一所述的ITO基板的制备方法，其特征在于，在对所述光刻胶层进行曝光处理前，还包括对所述光刻胶层进行前烘处理，所述前烘处理的温度为90-130℃，时间为5-10min。

6.如权利要求2-4任一所述的ITO基板的制备方法，其特征在于，在对所述图案化光刻胶层下的所述ITO薄膜进行刻蚀处理前，还包括对所述图案化光刻胶层进行后烘处理，所述后烘处理的温度为100-120℃，时间为25-35min。

7.一种OLED器件，其特征在于，包括权利要求1所述ITO基板、设置在未被所述ITO覆盖的所述基板上的隔离柱、和依次设置在所述ITO上的有机发光层和阴极。

8.如权利要求7所述的OLED器件，其特征在于，所述隔离柱的上表面大于下表面。

9.如权利要求7或8所述的OLED器件，其特征在于，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，其中，所述空穴注入层和所述空穴传输层依次设置在所述ITO上，所述电子传输层和所述电子注入层依次设置在所述有机发光层上。

10.一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供按权利要求2-6任一所述方法制备的ITO基板；

在所述ITO基板上沉积有机薄膜层，对所述有机薄膜层覆盖所述ITO的区域进行光刻处理，得到隔离柱；

在所述ITO上印刷制备有机发光层；

在所述有机发光层制备阴极。