[发明专利]一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构有效
申请号: | 201510801774.9 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105281193A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 王金涛;程庭清;王礼;邢庭伦;胡舒武;崔庆哲;吴先友;江海河 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01S3/115 | 分类号: | H01S3/115;H01S3/16;H01S3/042;H01S3/0941 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 2.79 有效 补偿 热退偏 效应 激光器 结构 | ||
技术领域
本发明涉及激光器领域,具体是一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构。
背景技术
2.79μm波长的YSGG铒激光在生物医疗、科研、军事等领域有着重要的应用。由于水和羟基磷灰石对该波长激光的有效吸收,可将其用于眼角膜、牙齿和骨骼等组织的精准切削或消融,纳秒级的窄脉冲能极大地减小激光对周围组织的热损伤,并提高切削精度,是一种精准切削或消融的理想医用激光源。此外,高峰值功率、高脉冲能量的2.79μm脉冲激光还能用作光学参量振荡器的泵浦源,以获得足够强的3-12μm的中红外激光,在远距离大气探测、毒气检测、光电对抗等领域有着重要的应用。因此,发展2.79μm窄脉冲、高能量的激光技术和激光器具有重要的应用价值。
纳秒脉冲激光需要通过调Q技术来实现,2.79μm波长激光调Q主要有电光调Q、声光调Q、FTIR调Q、饱和吸收体调Q等方法。在精确操控和探测应用领域的高能量激光器中,电光Q开关凭借其效率高、开关速度快、稳定可控等优势发挥着不可替代的作用。合适的红外电光晶体是Q开关的关键,优良的Q开关晶体在工作波长应该具有透光性好、损伤阈值高、物化性能稳定、不易潮解等特点。科学家已经研制出几种优良性能2-3μm近红外电光晶体,由于铌酸锂晶体(LN)的电光系数大,所需的四分之一波电压小。
以往闪光灯泵浦系统存在热效应严重,转换效率低,难以获得高重频高能量的激光输出的问题,无法满足需求。
发明内容本发明的目的是提供一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构,以解决现有技术闪光灯泵浦系统存在热效应严重、转换效率低的问题。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构,其特征在于:包括周围环绕有半导体泵浦模块的激光棒,激光棒前端前方设有输出腔片,还包括激光电源、退压调Q高压模块、两组调Q晶体、起偏器,所述调Q晶体为长方体状的铌酸锂晶体,铌酸锂晶体经X-Y-Z方向切割形成LN电光的调Q晶体,且调Q晶体的X轴方向加电场、沿Z轴方向通光,其中第一组调Q晶体的Z轴与激光棒中心轴同轴,第一组调Q晶体的前端与激光棒后端相对,且第一组调Q晶体的后端后方设有全反腔片,所述起偏器设在激光棒后端与第一组调Q晶体前端之间,第二组调Q晶体设置在起偏器一侧,且第二组调Q晶体Z轴一端倾斜对准起偏器,第二组调Q晶体Z轴另一端外亦设有全反腔片,由两组调Q晶体和起偏器构成电光Q开关,两组调Q晶体分别与退压调Q高压模块连接,由退压调Q高压模块分别向两组调Q晶体施加电场,所述激光电源分别供电至退压调Q高压模块、半导体泵浦模块;
激光电源向半导体泵浦模块提供能量,半导体泵浦模块产生泵浦光,泵浦光进入激光棒内进行泵浦产生高脉冲激光,在激光棒前端高脉冲激光经过输出腔片出射,在激光棒后端高脉冲激光经过电光调Q开关调Q后,再经过全反腔片反射后依次经过激光棒、输出腔片出射。
所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构,其特征在于:还包括激光水冷系统,所述激光水冷系统分别通过管路与激光棒、半导体泵浦模块连接,所述激光电源供电至激光水冷系统,由激光水冷系统向激光棒、半导体泵浦模块提供恒温冷却水。
所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构,其特征在于:所述激光棒采用Er:YSGG激光晶体,激光棒的前、后端端面分别镀2.79μm增透膜。
所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构,其特征在于:所述全反腔片的朝向激光棒前端的一面镀2.79μm全反膜,输出腔片的朝向激光棒前端的一面镀80%反射膜,输出腔片的朝向激光棒后端的一面镀2.79μm增透膜。
所述的一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构,其特征在于:所述调Q晶体的两Y-Z面分别镀金作为电极,保证了电场的均匀性,调Q晶体的双X-Y面分别镀2.79μm增透膜。
本发明采用的半导体泵浦Er:YSGG晶体将大大减小激光器的热效应,提高转换效率和重复频率,可获得高能量和高光束质量的2.79μm激光输出。
本发明优点为:
(1)本发明采用半导体侧面泵浦电光调QEr:YSGG激光,产生脉冲激光。利用半导体泵浦系统以获得高脉冲能量激光,在调Q模式下有利于获得高重频、高能量、窄脉宽的调Q激光。
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