[发明专利]预封装件和制造半导体封装件的方法以及电子装置有效
申请号: | 201510802368.4 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105609430B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 张根豪;姜芸炳;赵泰济 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 保护层 半导体封装件 第一表面 支承 半导体器件 第二表面 电子装置 粘合构件 预封装 附着 去除 拆卸 制造 金属 覆盖 | ||
本发明提供了制造半导体封装件的方法。所述方法包括步骤:在衬底的第一表面上形成包括金属的保护层,以覆盖设置在衬底的第一表面上的半导体器件;利用粘合构件将支承衬底附着至保护层;处理与保护层相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;以及将支承衬底从衬底拆卸。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年11月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0161631的优先权的利益,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本发明构思的各方面涉及预封装件和利用该预封装件制造半导体封装件的方法,并且更具体地说,涉及包括凸块的预封装件和利用该预封装件制造半导体封装件的方法。
背景技术
在电子工业中,随着更小和更轻的电子系统的发展,越来越需要紧凑且轻便的半导体封装件。响应于这种需求,半导体芯片的厚度持续减小,并且已利用薄型半导体芯片研发堆叠封装件。然而,虽然形成薄型半导体芯片,或者堆叠薄半导体芯片以制造诸如堆叠封装件的紧凑且轻便的半导体封装件,但是半导体芯片会损坏,因此导致半导体封装件故障或导致半导体封装件的特性变差。
发明内容
根据本发明构思的一方面,提供了一种制造半导体封装件的方法。该方法包括步骤:形成保护层,其包括在衬底的第一表面上连续地形成的金属以覆盖设置在衬底的第一表面上的多个半导体器件;利用粘合构件将支承衬底附着于保护层的顶表面;处理与保护层相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;以及将支承衬底从衬底拆卸。在将支承衬底从衬底拆卸之后,可保留保护层,以连续地覆盖所述多个半导体器件。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种制造半导体封装件的方法。该方法包括步骤:在衬底的第一表面上形成半导体器件;在衬底的第一表面上形成电连接至半导体器件的凸块焊盘;在凸块焊盘上形成种金属层;在种金属层上形成凸块,以与凸块焊盘重叠;在衬底的第一表面上形成光-热转换层,以覆盖凸块和种金属层;将支承衬底附着于衬底,以使得粘合构件设置在光-热转换层与支承衬底之间;处理与半导体器件和凸块焊盘相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;将激光束照射至支承衬底上,以从种金属层拆卸光-热转换层、粘合构件和支承衬底;以及去除种金属层的未被凸块覆盖的一些部分。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种制造半导体封装件的方法。该方法包括步骤:在衬底的第一表面上形成半导体器件;在衬底的第一表面上形成电连接至半导体器件的凸块焊盘;在凸块焊盘上形成种金属层;在种金属层上形成凸块,以与凸块焊盘重叠;在衬底的第一表面上形成粘合构件,以覆盖种金属层的至少一部分;将支承衬底附着于衬底,以使得粘合构件设置在种金属层与支承衬底之间;处理与半导体器件和凸块焊盘相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;将粘合构件和支承衬底从种金属层拆卸;以及去除种金属层的未被凸块覆盖的一些部分。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种预封装件。该预封装件包括:衬底,其具有通过划片区限定并且彼此区分的多个半导体芯片区;至少一个半导体器件,其形成在半导体芯片区中的每一个中;保护层,其由金属形成,并且与半导体器件相同设置在衬底的第一表面上;以及凸块,其设置在保护层上,并且电连接至半导体器件。
根据一些实施例,一种制造电子装置的方法包括步骤:在衬底的第一表面上设置多个半导体器件;在衬底的第一表面上设置多个焊盘,各个焊盘电连接至所述多个半导体器件;在衬底的第一表面上设置包括金属的保护层,以连续地覆盖两个或更多个焊盘;利用粘合构件将支承衬底附着于保护层的顶表面;处理与保护层相对的衬底的第二表面,以去除衬底的一部分;以及将支承衬底从衬底拆卸,其中,当将支承衬底从衬底拆卸时,保留保护层,以连续地覆盖所述两个或更多个焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造