[发明专利]电流检测装置

说明书

本发明提供一种电流检测装置。即使在外部磁场等干扰混入了偏置磁场方向的情况下，也能够抑制检测灵敏度的变化。电流检测装置(10)采用半桥结构，该半桥结构由以固定层的磁化方向(Mpl、Mp2)的朝向彼此成相反方向的方式串联连接的磁检测元件(11)和磁检测元件(12)构成。使用偏置磁铁(13A、13B)对磁检测元件(11、12)施加大小大致相同、沿着与磁化方向(Mpl、Mp2)大致正交的方向、且彼此成相反方向的偏置磁场(Bbl、Bb2)。磁检测元件(11、12)的偏置磁场(Bbl、Bb2)的大小相同、朝向彼此正相反，因此能够消除干扰磁场(ΔBb)的影响，即使存在干扰磁场(ΔBb)的情况下也能够抑制灵敏度的变化。

技术领域

本发明涉及一种通过测定由流过导体的电流所产生的磁场来检测出其电流值的电流检测装置。

背景技术

以往，已知的有：使用利用了各向异性磁阻(AMR(Anisotropic MagnetoResistive)效应的AMR元件或利用了巨磁阻(GMR(Giant Magneto Resistive))效应的GMR元件等磁阻效应元件的电流检测装置(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1所记载的电流检测装置中，在与GMR元件的测定对象磁场正交的方向产生已知大小的偏置磁场，对与测定对象磁场和偏置磁场的合成磁场相对于测定对象磁场的方向形成的角度的正弦值成比例的电压信号来检测出测定对象磁场的强度。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2013-200303号公报

发明内容

如专利文献1所记载的电流检测装置那样，因偏置磁场存在，能够抑制构成电流检测装置的磁检测元件(GMR元件)的磁滞，能够扩大其线形范围。另一方面，若该偏置磁场变强，则存在越强检测灵敏度越下降的缺点。此外，在由地磁或其他设备产生的磁场等外部磁场作为干扰混入与偏置磁场相同的方向时，其检测灵敏度有可能变化。

因此，本发明的目的是提供一种即使在偏置磁场方向混入有外部磁场等干扰的情况下，也能够抑制检测灵敏度的变化的电流检测装置。

为了解决上述课题，本发明提供一种半桥结构的电流检测装置，其由以固定层的磁化方向的朝向彼此成相反方向的方式串联连接的第1和第2磁检测元件构成，该电流检测装置具备：偏置磁场生成单元，其对所述第1和第2磁检测元件施加大小大致相同、沿着与所述磁化方向大致正交的方向、且彼此成相反方向的偏置磁场。

此外，为了解决上述课题，本发明提供一种全桥结构的电流检测装置，其由第1和第2磁检测元件以及第3和第4磁检测元件构成，所述第1和第2磁检测元件以固定层的磁化方向的朝向彼此成相反方向的方式串联连接，所述第3和第4磁检测元件以固定层的磁化方向的朝向彼此成相反方向的方式串联连接，该电流检测装置具备：偏置磁场生成单元，其对从所述第1至所述第4磁检测元件中选择出的任意2个磁检测元件以及剩余的2个磁检测元件施加大小大致相同、沿着与所述磁化方向大致正交的方向、且彼此成相反方向的偏置磁场。

根据本发明，即使在偏置磁场方向混入有外部磁场等干扰的情况下，也能够抑制检测灵敏度的变化。

附图说明

图1A是表示本发明的第1实施方式的电流检测装置的概要结构的图。

图1B是表示图1A的A-A’线截面的图。

图1C是表示图1A的B-B’线截面的图。

图2A是表示在本发明的第1实施方式的电流检测装置中使用的磁检测元件的磁检测原理的图。

图2B是表示与图1A的电流检测装置对应的电路结构的图。

图3A是表示本发明的第2实施方式的电流检测装置的概要结构的图。

图3B是表示图3A的C-C’线截面的图。