[发明专利]一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法在审
| 申请号： | 201510806512.1 | 申请日： | 2015-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN105336461A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李福喜;黄明怀;徐建建;陈立俊 | 申请（专利权）人： | 贝迪斯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C17/28 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 倪波 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 片式厚膜 电阻 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在陶瓷基片的正面印刷电阻层并烧结，（2）正面掩膜后溅射纯镍正电极，（3）水洗去膜，（4）背面掩膜后溅射纯镍背电极，（5）水洗去膜，（6）镭射，（7）印刷包封层，（8）裂条，（9）溅射纯镍侧电极，（10）碎片，（11）电镀锡层。
2.根据权利要求1所述的一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，其特征在于，所述溅射电极的工艺参数如下：真空度为5.0～6.0×10-5托时，电流设置为0.85A，溅射时间为30分钟，正、背电极纯镍的厚度为2-4μm。
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