[发明专利]面向字的内存测试方法在审
申请号: | 201510808092.0 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105468485A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 李岩 | 申请(专利权)人: | 英业达科技有限公司;英业达股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G06F11/26 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭栋梁 |
地址: | 201114 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面向 内存 测试 方法 | ||
1.一种面向字的内存测试方法,其特征在于,包括:
针对不同的待测内存错误类型,根据内存芯片位宽各自生成内存测试模型序列;
利用生成的各所述内存测试模型序列进行内存测试。
2.根据权利要求1所述的内存测试方法,其特征在于,所述针对不同的待测内存错误类 型,根据操作位宽各自生成内存测试模型序列包括:
根据所述待测内存错误类型,生成最简闭环双位测试序列;
根据所述内存芯片位宽生成基础模型序列;
将所述最简闭环双位测试序列导入至所述基础模型序列中,得到所述内存测试模型序 列。
3.根据权利要求2所述的内存测试方法,其特征在于,所述根据所述待测内存错误类 型,生成最简闭环双位测试序列包括:
根据所述待测内存错误类型,列举测试中需要覆盖的错误状态;
列举双位00、01、10、11四种状态两两组合产生的所述错误状态的集合;
精简所述错误状态的集合中冗余的错误状态,得到包含所有需要覆盖的错误状态的最 简闭环双位测试序列。
4.根据权利要求2-3任一项所述的内存测试方法,其特征在于,所述待测内存错误类型 为耦合故障,至少包括倒置耦合故障、固化耦合故障、干扰耦合故障和状态耦合故障。
5.根据权利要求1-3任一项所述的内存测试方法,其特征在于,所述内存芯片位宽为4 位或8位。
6.根据权利要求3所述的内存测试方法,其特征在于,当所述待测内存错误类型为固化 耦合故障时,所述需要覆盖的错误状态为(变化位状态的改变趋势,变化位状态的改变导致 的关联位状态的错误变化趋势),具体包括(c0升,c1升)、(c0升,c1降)、(c0降,c1升)、(c0 降,c1降)、(c1升,c0升)、(c1升,c0降)、(c1降,c0升)和(c1降,c0降);
其中c0为所述双位中的前一位,c1为所述双位中的后一位。
7.根据权利要求6所述的内存测试方法,其特征在于,精简冗余的错误状态后得到的最 简闭环双位测试序列为(00,11,00,01,10,01)。
8.根据权利要求7所述的内存测试方法,其特征在于,所述内存芯片位宽为8位,所述基 础模型序列包括第一基础模型序列01-23-45-67、第二基础模型序列02-13-46-57和第三基 础模型序列04-15-26-37。
9.根据权利要求8所述的内存测试方法,其特征在于,所述将所述最简闭环双位测试序 列导入至所述基础模型序列中,得到所述内存测试模型序列包括:
将最简闭环双位测试序列(00,11,00,01,10,01)导入至第一基础模型序列01-23-45- 67中,得到第一内存测试模型序列:
将最简闭环双位测试序列(00,11,00,01,10,01)导入至第二基础模型序列02-13-46- 57中,得到第二内存测试模型序列:
将最简闭环双位测试序列(00,11,00,01,10,01)导入至第三基础模型序列04-15-26- 37中,得到第三内存测试模型序列:
合并所述第一内存测试模型序列、第二内存测试模型序列和第三内存测试模型序列, 精简合并后的序列,得到所述内存测试模型序列:
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