[发明专利]一种内嵌式纳米森林结构及其制备方法

权利要求书

1.一种内嵌式纳米森林结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底之上形成具有开口的刻蚀阻挡层；

在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构；

进行各向异性刻蚀，在所述衬底的开口处形成内嵌式纳米森林结构；

去除所述纳米掩模结构及所述刻蚀阻挡层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述开口暴露/不暴露所述衬底，当所述开口不暴露所述衬底时，所述开口底部与衬底表面之间的剩余刻蚀阻挡层厚度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构包括：

在所述衬底表面之上形成聚合物层，所述聚合物层的材料包括以下任意一种：正性光刻胶、负性光刻胶、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷或聚对二甲苯及其叠层；

采用等离子体对所述聚合物层进行轰击，以形成纳米掩模结构。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，通过调整所述聚合物层的材料种类、厚度、粘度特性和/或等离子体轰击工艺条件，获取形状为独立的、两两相连的和/或半连接的直立柱状的纳米掩模结构，并以该纳米掩模结构为掩模获得纳米森林结构，所述纳米森林结构的纳米结构形状包括以下任意一种：锥状、台状、柱状及其平面组合。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米掩模结构为图形化的纳米掩模结构。

6.根据权利要求3所述的制备方法，所述聚合物层为图形化的光敏聚酰亚胺层，形成所述图形化的光敏聚酰亚胺层包括：

在所述衬底表面之上形成光敏聚酰亚胺层；

采用光刻工艺形成图形化的光敏聚酰亚胺层。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构之前，沉积厚度为50-100nm的硬掩模层；

在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构之后进行刻蚀，在所述硬掩模层中形成纳米硬掩模结构，以该纳米硬掩模结构作为掩模或以该纳米硬掩模结构和所述纳米掩模结构共同作为掩模。

8.一种内嵌式纳米森林结构，其特征在于，包括：

衬底；

内嵌于衬底表面的纳米森林结构，所述纳米森林结构的上表面与衬底表面齐平。

9.根据权利要求8所述的内嵌式纳米森林结构，其特征在于，所述内嵌式纳米森林结构的纳米结构形状为锥状、台状、柱状及其平面组合。

10.根据权利要求8或9所述的内嵌式纳米森林结构，其特征在于，所述衬底还包括：

与所述内嵌式纳米森林结构底部持平的平整部分。