[发明专利]SIP模组的制造、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法

权利要求书

1.一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，其特征在于，包括步骤：

吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；

吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；

空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；

从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；

所述吸盘上升拾取所述SIP模组。

2.如权利要求1所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：

所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。

3.如权利要求1所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：

所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：

所述拾取方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。

5.一种SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于，包括步骤：

用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；

对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；

吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；

空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；

从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；

所述吸盘上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI电磁屏蔽层且下表面无污染、无损伤的SIP模组。

6.如权利要求5所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：

所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。

7.如权利要求5所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：

所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。

8.如权利要求5-7中任意一项所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：

所述SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。

9.一种SIP模组的制造方法，其特征在于，包括步骤：

在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片及主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA；

对所述PCBA的上表面填胶，使胶覆盖所述PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成SIP模组；

用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为 所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；

对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；

吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；

空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；

从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；

所述吸盘上升拾取制造完成的下表面无污染、无损伤的SIP模组。

10.如权利要求9所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：

所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。