[发明专利]应用于压力触控感测器之变阻式结构

说明书

技术领域

本发明为一种应用于压力触控感测器之变阻式结构，特别是一种将变阻式结构贴附在可挠式基板上方、下方或上方以及下方，以克服现有触控模组堆栈架构仅局限于平面式设计问题的变阻式结构。

背景技术

请参考图1所示，现有技术之压力触控装置(7)是包括一金属底座(70)、一黏着胶膜层(71)、一氧化铟锡隔离层(72)、一聚酯层(73)、一银质压力感测装置(74)、一背光模组(75)、一薄膜晶体管前端数组(76)、一第一电容(77)、一第二电容(78)以及一前盖板(79)。

该黏着胶膜层(71)设置于该金属底座(70)之上，该氧化铟锡隔离层(72)设置于该黏着胶膜层(71)之上，该聚酯层(73)设置于该氧化铟锡隔离层(72)之上，该银质压力感测装置(74)设置于该聚酯层(73)之上，该背光模组(75)设置于该银质压力感测装置(74)之上，该薄膜晶体管前端数组(76)设置于该背光模组(75)之上，该第一电容(77)之一端与该银质压力感测装置(74)电性连接，另一端与该背光模组(75)电性连接，该第二电容(78)之一端与该银质压力感测装置(74)电性连接，另一端与该薄膜晶体管前端数组(76)电性连接，该前盖板(79)设置于该薄膜晶体管前端数组(76)之上。

现有技术之压力触控装置为非内嵌式(in-cell)，而采用自容式(Selfcapacitance)架构进行压力触控。其主要原理为：外部手指下压施力，相近的金属层产生形变，相对于银质压力感测装置的变化量，银质压力感测装置侦测电容变化，最后经由算法转化为向下施与压力指标。

然而，现有技术之压力触控装置的堆栈架构被仅限于平面式设计，而不能应用于曲面式设计。

因此，如何设计出一同时适用于平面式设计以及曲面式设计之压力触控设备堆栈架构，即成为相关设备厂商以及研发人员所共同期待的目标。

发明内容

本发明人有鉴于现有技术之压力触控装置的堆栈架构被仅限于平面式设计之缺失，乃积极着手进行开发，以期可以改进上述既有之缺点，经过不断地试验及努力，终于开发出本发明。

本发明之目的，提供一种同时适用于平面式设计以及曲面式设计之变阻式结构。

为了达成上述之目的，本发明第一实施例之应用于压力触控感测器之变阻式结构，设置于一压力触控感测器内，该应用于压力触控感测器之变阻式结构包括一可挠式基板、一第一变阻层以及一黏着胶膜层。

该第一变阻层由变阻式材料组成，并设置于该可挠式基板之上。该黏着胶膜层设置于该第一变阻层之上。

为了达成上述之目的，本发明第二实施例之应用于压力触控感测器之变阻式结构，设置于一压力触控感测器内，该应用于压力触控感测器之变阻式结构包括一第一变阻层、一可挠式基板以及一黏着胶膜层。

该第一变阻层由变阻式材料组成。该可挠式基板设置于该第一变阻层之上。该黏着胶膜层设置于该可挠式基板之上。

为了达成上述之目的，本发明第三实施例之应用于压力触控感测器之变阻式结构，设置于一压力触控感测器内，该应用于压力触控感测器之变阻式结构包括一第一变阻层、一可挠式基板、一第二变阻层以及一黏着胶膜层。

该第一变阻层由变阻式材料组成。该可挠式基板设置于该第一变阻层之上。该第二变阻层由变阻式材料组成，设置于该可挠式基板之上。该黏着胶膜层设置于该第二变阻层之上。

藉由上述之结构，本发明可克服现有触控模组堆栈架构仅局限于平面式设计之问题，而同时适用于平面式设计以及曲面式设计之堆栈架构。

附图说明

图1是现有技术之压力触控装置之示意图；

图2a是本发明之应用于压力触控感测器之变阻式结构第一实施例设置于背光模组之下，并应用于平面式设计之示意图；

图2b是本发明之应用于压力触控感测器之变阻式结构第一实施例设置于背光模组之下，并应用于曲面式设计之示意图；

图3a是本发明之应用于压力触控感测器之变阻式结构第一实施例设置于前盖板之下，并应用于平面式设计之示意图；

图3b是本发明之应用于压力触控感测器之变阻式结构第一实施例设置于前盖板之下，并应用于曲面式设计之示意图；

图4a是本发明之应用于压力触控感测器之变阻式结构第一实施例设置于薄膜晶体管前端数组之下，并应用于平面式设计之示意图；

图4b是本发明之应用于压力触控感测器之变阻式结构第一实施例设置于薄膜晶体管前端数组之下，并应用于曲面式设计之示意图；