[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510809494.2 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106298885B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李暐凡;刘致为;王锦焜;范彧达;黄智雄;林子尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【说明书】：
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