[发明专利]提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法及产品

权利要求书

1.一种提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)以气态三甲基铝为铝源，以气态去离子水作为氧源，以氮气作为载气和清洁气体，利用原子层沉积系统在铅铋玻璃制作的方孔微通道板上沉积氧化铝薄膜；

(2)以固态乙酰丙酮铱为铱源，以氧气为氧源还原金属铱，以氮气作为载气和清洁气体，利用原子层沉积系统在步骤(1)的氧化铝薄膜上沉积铱薄膜。

2.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(1)中，原子层沉积系统中反应腔温度为110℃～130℃。

3.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(1)中，原子层沉积系统的反应周期数为90～120；沉积速率为0.08nm～0.12nm/周期。

4.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(1)中，原子层沉积系统中反应腔气体流量为280sccm～320sccm；原子层沉积系统中真空腔气体流量为380sccm～420sccm。

5.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(1)中，氧化铝薄膜的沉积过程是三甲基铝/N₂/H₂O/N₂，脉冲时间为0.4～0.6s/7～9s/0.4～0.6s/8～12s。

6.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(2)中，原子层沉积系统中反应腔温度为320℃～360℃；固态源乙酰丙酮铱温度为170℃～210℃。

7.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(2)中，原子层沉积系统的反应周期为400～600；铱沉积速率约为0.03～0.05nm/周期。

8.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，步骤(2)中，铱薄膜的沉积过程是Ir(N₂)/N₂/O₂/N₂，脉冲时间为4～6s/10～14s/280～320ms/10～14s。

9.根据权利要求1所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法，其特征在于，氧化铝薄膜的厚度为8nm～12nm，铱薄膜厚度为8～25nm。

10.一种光学器件，其特征在于，由权利要求1～9任一权利要求所述的提高微通道板软X射线-极紫外线成像性能的方法制备得到。