[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基底；

导电垫，在半导体基底上；

钝化层，在半导体基底上，钝化层包括暴露导电垫的开口；

第一凸点下金属层，在暴露的导电垫上；

第二凸点下金属层，在钝化层上；

第一凸点结构，在第一凸点下金属层上，第一凸点结构包括顺序地堆叠 在第一凸点下金属层上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层； 以及

第二凸点结构，在第二凸点下金属层上，第二凸点结构包括顺序地堆叠 在第二凸点下金属层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，开口的水平宽度和基体凸 点层的水平宽度中的每个大于第一柱状凸点层的水平宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，基体凸点层包括在第一柱 状凸点层下方的基体部分和与第一柱状凸点层分隔开的突出部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，基体部分填充开口的至少 一部分。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，突出部分邻近开口的内侧 壁设置并围绕第一柱状凸点层。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，突出部分包括与第一柱状 凸点层的侧壁相对的倾斜的内侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一柱状凸点层具有与第 二柱状凸点层的厚度基本上相等的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一凸点结构的顶端和第 二凸点结构的顶端相对于半导体基底的主表面位于基本上同一水平。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一柱状凸点层和第二柱 状凸点层包括相同的金属，第一焊料凸点层和第二焊料凸点层包括相同的焊 接材料。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一柱状凸点层的水平 宽度大于第二柱状凸点层的水平宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，第一柱状 凸点层具有不同于第二柱状凸点层的形状。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，基体凸点层和第一柱状 凸点层中的每个包括Cu、Cu合金、Ni、Ni合金、Au、Au合金或它们的组 合。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括贯穿半 导体基底并连接到导电垫的至少一个基底贯穿孔。

14.一种半导体封装，包括：

封装基底，包括设置在其上的第一基底垫和第二基底垫；以及

半导体装置，安装在封装基底上，半导体装置包括半导体基底、位于半 导体基底上的导电垫、位于半导体基底上的具有暴露导电垫的开口的钝化层、 结合到封装基底的第一基底垫的第一凸点结构和结合到封装基底的第二基底 垫的第二凸点结构；

其中，第一凸点结构包括顺序地堆叠在导电垫上的基体凸点层、第一柱 状凸点层和第一焊料凸点层，

其中，第二凸点结构包括顺序地堆叠在钝化层上的第二柱状凸点层和第 二焊料凸点层。

15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中，基体凸点层包括在第一 柱状凸点层下方的基体部分和邻近开口的内侧壁并与第一柱状凸点层分隔开 的突出部分。

16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，突出部分包括与第一柱 状凸点层的侧壁相对的倾斜的内侧壁。

17.根据权利要求14所述的半导体封装，其中，开口的水平宽度和基体 凸点层的水平宽度中的每个大于第一柱状凸点层的水平宽度。

18.根据权利要求14所述的半导体封装，其中，第一柱状凸点层的厚度 和第二柱状凸点层的厚度基本相同。