[发明专利]光源掩模协同优化方法

权利要求书

1.一种光源掩模协同优化方法，包括：

输入步骤：输入初始参数，所述初始参数包括第一光刻工艺条件、掩模版图信息以及优化参数(S01)；

选择步骤：根据输入的掩模版图信息，选择部分掩模版图参与后续优化(S02)；

协同优化步骤：对所选择的掩模版图进行光源掩模协同优化(S03)；

第一光刻仿真评估步骤：对优化后的光源和掩模版图进行第一光刻仿真评估，若光刻成像质量满足所述第一光刻工艺条件，则光源掩模协同优化完成，若不满足所述第一光刻工艺条件，则执行后续步骤(S04)；

调整步骤：根据所述第一光刻仿真评估的结果，调整所述第一光刻工艺条件和所述优化参数(S05)；以及

重复执行所述协同优化步骤、所述第一光刻仿真评估步骤和所述调整步骤，直至所述第一光刻仿真评估的结果满足所述第一光刻工艺条件；

光源固定步骤：固定优化后的光源，并将优化后的掩模版图舍弃(S06)；

更新步骤：更新掩模可制造性规则(S07)；

第一掩模版图优化步骤：使用固定后的优化光源以及更新后的掩模可制造性规则，进行第一掩模版图优化(S08)；

第二光刻仿真评估步骤：对所述第一掩模版图优化后的掩模版图进行第二光刻仿真评估，若光刻成像质量满足第二光刻工艺条件，则执行后续步骤，若不满足所述第二光刻工艺条件，则执行所述更新步骤(S07)(S09)；

重复所述更新步骤(S07)、所述第一掩模版图优化步骤(S08)和所述第二光刻仿真评估步骤(S09)，直至所述第二光刻仿真评估的结果满足所述第二光刻工艺条件。

2.根据权利要求1所述的光源掩模协同优化方法，还包括以下步骤：

掩模可制造性规则固定步骤：固定优化后的掩模可制造性规则(S10)；

第二掩模版图优化步骤：对输入的掩模版图进行第二掩模版图优化(S11)；

获得步骤：获得经过所述第二掩模版图优化后的掩模版图(S12)。

3.根据权利要求1至2中任意一项所述的光源掩模协同优化方法，其中，所述选择步骤(S02)包括：

从所有的输入掩模版图中按照手动与自动相结合的方式选择掩模版图。

4.根据权利要求3所述的光源掩模协同优化方法，其中，手动选择的掩模版图图形包括用于确定曝光剂量的锚图形、热点区域图形以及其他能反映版图实际结构的具有代表性的图形，并且其中，自动选择掩模版图图形是通过分析图形衍射级次分布，自动从大量变周期和变尺寸的图形中选择出具有代表性的图形。

5.根据权利要求1至2中任意一项所述的光源掩模协同优化方法，其中，所述第一光刻工艺条件包括：

以预设测量位置处的特征尺寸容限为测量标准，使得焦深、曝光宽容度以及掩模误差增强因子满足预设的指标。

6.根据权利要求1至2中任意一项所述的光源掩模协同优化方法，其中，所述调整步骤(S05)包括：

通过调整所述第一光刻工艺条件以及工艺窗口优化矩阵，使用限制最少的掩模可制造性规则，对工艺窗口和掩模误差增强因子进行优化，以获得满足所述第一光刻工艺条件的最大工艺窗口，并将得到的工艺窗口优化矩阵用于后续的优化步骤中。

7.根据权利要求1所述的光源掩模协同优化方法，其中，在所述更新步骤(S07)中：

可用于更新的可制造性规则包括掩模版图主图形规则、辅助图形规则、以及主图形与辅助图形间规则。

8.根据权利要求7所述的光源掩模协同优化方法，其中，所述主图形是优化后的掩模版图中由初始掩模版图变化得到的部分，所述辅助图形是人为或自动在版图上添加的在初始掩模版图中不存在的部分。