[发明专利]阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法

权利要求书

1.一种阵列基板结构，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(M1)、覆盖于所述第一金属层(M1)与衬底基板(1)上的绝缘层(GI)、及设于所述绝缘层(GI)上的第二金属层(M2)；

所述第二金属层(M2)包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线(2)、及与所述数据线(2)一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线(4)，每一备用数据线(4)与其对应的数据线(2)间隔设置；

所述第一金属层(M1)包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线(3)、及分别于每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方设置的修复线(5)，所述修复线(5)与设于其上方的数据线(2)及备用数据线(4)的两端在空间上交叉。

2.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，还包括阵列排布于所述衬底基板(1)上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极(6)及与该像素电极(6)电性连接的TFT(7)；

每条数据线(2)左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线(3)；对于同一行像素单元，位于每条数据线(2)左、右两侧的两列TFT(7)共同电性连接于该条数据线(2)，位于该数据线(2)左侧的的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线(3)，位于该数据线(2)右侧的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线(3)。

3.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述TFT(7)的栅极位于第一金属层(M1)并电性连接于扫描线(3)，源极与漏极均位于第二金属层(M2)并分别电性连接于数据线(2)与像素电极(6)。

4.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一金属层(M1)及第二金属层(M2)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。

5.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述绝缘层(GI)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极(6)的材料为ITO。

6.一种阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一阵列基板；

所述阵列基板的结构包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(M1)、覆盖于所述第一金属层(M1)与衬底基板(1)上的绝缘层(GI)、及设于所述绝缘层(GI)上的第二金属层(M2)；

所述第二金属层(M2)包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线(2)、及与所述数据线(2)一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线(4)，每一备用数据线(4)与其对应的数据线(2)间隔设置；

所述第一金属层(M1)包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线(3)、及分别于每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方设置的修复线(5)，所述修复线(5)与设于其上方的数据线(2)及备用数据线(4)的两端在空间上交叉；

步骤2、检测所述阵列基板出现断线的数据线(2)的位置，并找到与出现断线的数据线(2)对应的备用数据线(4)及修复线(5)；

步骤3、通过激光熔接断线的数据线(2)与对应的修复线(5)的交叉点、及对应的备用数据线(4)与对应的修复线(5)的交叉点，将所述断线的数据线(2)与对应的修复线(5)、及对应的备用数据线(4)连接在一起。

7.如权利要求6所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述步骤1中的阵列基板的结构还包括阵列排布于所述衬底基板(1)上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极(6)及与该像素电极(6)电性连接的TFT(7)；

每条数据线(2)左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线(3)；对于同一行像素单元，位于每条数据线(2)左、右两侧的两列TFT(7)共同电性连接于该条数据线(2)，位于该数据线(2)左侧的的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线(3)，位于该数据线(2)右侧的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线(3)。

8.如权利要求7所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述TFT(7)的栅极位于第一金属层(M1)并电性连接于扫描线(3)，源极与漏极均位于第二金属层(M2)并分别电性连接于数据线(2)与像素电极(6)。