[发明专利]相变自旋非易失存储单元

权利要求书

1.一种相变自旋非易失存储单元，其特征在于，该相变自旋非易失存储单元包括磁固定层、间隔层、磁自由层，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，其中，所述间隔层的材料为相变材料，所述相变材料为晶态相变材料或非晶态相变材料，所述相变自旋非易失存储单元通过所述相变材料在不同相变状态之间的变换实现存储单元类型的切换。

2.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，进一步包括第一电极与第二电极，所述第一电极设置在所述磁固定层上，用于向所述磁固定层输入或读出电流，所述第二电极设置在所述磁自由层上，用于向所述磁自由层输入或读出电流；所述相变自旋非易失存储单元利用电流焦耳热效应引起相变材料的相变。

3.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述磁固定层与所述磁自由层的材料为磁性单质金属。

4.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述磁固定层与所述磁自由层的材料为磁性合金。

5.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述磁固定层与所述磁自由层的材料为赫斯勒(Heusler)合金。

6.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述相变材料是(GeTe)_x(Sb₂Te₃)_y，其中x和y为整数。

7.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述相变材料是Sb-Te二元化合物与In、Ag、Bi、Ga、Se、Ti、Sn和Ge中至少一种的混合物。

8.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述相变材料为晶态相变材料，该晶态相变材料呈金属性。

9.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述相变材料为非晶态相变材料，该非晶态相变材料呈绝缘性。

10.如权利要求1所述的相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述相变自旋非易失存储单元进一步包括数据写入电路以及数据读出电路，所述数据写入电路和数据读出电路为恒流源或脉冲信号源。