[发明专利]一种SiC减薄方法有效
| 申请号： | 201510814833.6 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105470122A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 闫未霞 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 方法 | ||
1.一种SiC减薄方法，其特征在于，包括如下内容：
在SiC晶片正面均匀涂覆光刻胶；
将蓝宝石通过高温胶粘附于所述光刻胶上；
将所述蓝宝石安装于减薄设备上，对所述SiC晶片的背面采用粗金钢砂石轮进行减薄；
对所述SiC晶片的背面采用细金刚砂石轮进行减薄；
将所述SiC晶片设置于旋转的抛光垫上，所述SiC晶片的背面靠在所述抛光垫上，将抛光头压在所述SiC晶片正面；
在所述SiC晶片一侧向所述抛光垫上注入抛光液，进行CMP减薄。
2.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，在SiC晶片正面均匀涂覆光刻胶之前，还包括：
对所述SiC晶片正面进行清洗。
3.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，所述在SiC晶片正面均匀涂覆光刻胶，具体为：
在SiC晶片正面均匀涂覆厚度为2～10μm的光刻胶，并在180℃热板真空中加热3分钟。
4.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，所述将蓝宝石通过高温胶粘附于所述光刻胶上，具体包括；
在所述蓝宝石上涂覆高温胶，所述高温胶的厚度为10～20μm；
将所述蓝宝石通过所述高温胶粘附于所述光刻胶上，并在100～220℃热板真空中加压和加热后冷却。
5.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，所述粗金刚砂石轮的转速是1300转/min。
6.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，所述细金刚砂石轮的转速是500转/min。
7.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，所述抛光头采用的压力是5psi，抛光液中包含2wt％双氧水以及3％磷酸钠，pH值为11～12，所述抛光液中还包括150nm的胶体氧化硅磨料。
8.根据权利要求1所述的SiC减薄方法，其特征在于，在对所述SiC晶片的背面采用CMP工艺减薄之后，还包括：
对所述SiC晶片进行清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
