[发明专利]一种UHF局部放电测量装置的校准方法有效
| 申请号： | 201510814989.4 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106772170B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 周玮;雷民;陈迪;侯兴哲;张军;卢欣;王斯琪;汪泉;卢冰;付济良;刘方明;陈习文;王旭;郭子娟;齐聪;匡义;朱赤丹;余雪芹;陈彬;梁星;李松浓 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院;国家电网公司;中国合格评定国家认可中心;国网天津市电力公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 uhf 局部 放电 测量 装置 校准 方法 | ||
1.一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤1：构建场强测量系统；
步骤2：将所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于所述场强测量系统内，测量同一个电场的场强；
步骤3：比较所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度；
所述场强测量系统包括射频信号源、功率放大器、GTEM小室和频谱仪；
所述射频信号源与功率放大器连接，该功率放大器通过同轴传输线接入GTEM小室；
所述参考场强仪放置在GTEM小室内，该参考场强仪的场强探头与频谱仪连接；
所述UHF局部放电测量装置包括主机和待测传感器；所述主机接收待测传感器的输出信号；
步骤2中将所述待测传感器与参考场强仪放置在所述GTEM小室的同一个测试区域内；
所述参考场强仪为全向场强仪；所述同轴传输线为50Ω带状传输线；
所述功率放大器包括第一放大器和第二放大器；
所述第一放大器的输出频率为300MHz～1GHz；
所述第二放大器的输出频率为800MHz～3GHz；
所述GTEM小室的测试区域的频率范围为300MHz～3GHz；
所述GTEM小室的测试区域的不确定度为±1dB。
2.如权利要求1所述的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，其特征在于，所述射频信号源的输出信号为300MHz～3GHz的连续信号。
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