[发明专利]一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种陷光结构，其特征在于：包括二维直角四棱锥形陷光硅层(4)，所述二维直角四棱锥形陷光硅层(4)由微纳周期性且非完全对称的二维直角四棱锥阵列构成，其中单个周期的二维直角四棱锥的形状是：底面为正方形，一条棱边垂直于底面，与该棱边相邻的两个侧面均垂直于底面，另外两侧面倾斜于所述底面。

2.根据权利要求1所述的一种陷光结构，其特征在于：所述硅吸收层(3)的厚度为1000nm，所述二维直角四棱锥的单个周期的周期变化范围为300nm到1300nm，高度变化范围为100nm到1000nm。

3.根据权利要求1所述的一种陷光结构，其特征在于：二维直角四棱锥的单个周期的周期为700nm，高度是900nm。

4.一种制备陷光结构的方法，其特征在于包括以下步骤：用双光束干涉在硅上刻制作直角四棱锥形陷光结构，单个周期的二维直角四棱锥的形成方式是：两束具有同样光强的干涉光，当两束相干光到达有一定倾斜角度的倾斜基板面上时，所述两束干涉光的光程约波长的整数倍，使得原本对称的余弦干涉图样削掉一半，变成非对称结构，然后通过转动基板90°第二次曝光，被曝光的正性光刻胶经显影过后形成所述二维直角四棱锥结构。

5.一种薄膜太阳能电池，包括金属电极(1)，其特征在于：所述金属电极(1)的外层依次设置有第一透明导电氧化物薄膜层(2)、硅吸收层(3)、二维直角四棱锥形陷光硅层(4)和第二透明导电氧化物薄膜层(5)，其中所述二维直角四棱锥形陷光硅层(4)由微纳周期性且非完全对称的二维直角四棱锥阵列构成，其中单个周期的二维直角四棱锥的形状是：底面为正方形，一条棱边垂直于底面，与该棱边相邻的两个侧面均垂直于底面，另外两侧面倾斜于所述底面。