[发明专利]一种荧光材料及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510815259.6 申请日: 2015-11-20
公开(公告)号: CN105542770A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 解文杰 申请(专利权)人: 安徽建筑大学
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79
代理公司: 宿迁市永泰睿博知识产权代理事务所(普通合伙) 32264 代理人: 陈臣
地址: 230601 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 荧光 材料 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种荧光材料,其特征在于:所述荧光材料由采用固相焙烧工艺制造的化学通式为 Mg1-xLu1-ySi2O5N:yCe3+,xMn2+表示的组份组成,其中Mg1-xLu1-ySi2O5N为所述荧光材料的基质, Ce3+、Mn2+为在基质Mg1-xLu1-ySi2O5N中共掺杂的发光离子;表示Mn2+、Ce3+组份比的x、y分别为 0<x<0.3、0<y<0.04,所述荧光材料具有两个激发峰,所述两个激发峰处于其激发光谱 的320nm和355nm位置处。

2.根据权利要求1所述的一种荧光材料,其特征在于:所述表示Mn2+、Ce3+组份比的x、y分 别为0.05≤x≤0.2、0.002≤y≤0.02。

3.根据权利要求2所述的一种荧光材料,其特征在于:所述表示Mn2+、Ce3+组份比的x、y分 别为0.1、0.02。

4.一种荧光材料的制造方法,用于制造权利要求1所述的荧光材料,其特征在于,所述 制造方法包括以下步骤:

S1,按照化学通式Mg1-xLu1-ySi2O5N:yCe3+,xMn2+中的各种元素的配比分别称取MgO、 Si3N4、SiO2、CeO2、Lu2O3、MnCO3

S2,将步骤S1中的MgO、Si3N4、SiO2、CeO2、Lu2O3、MnCO3放入研磨装置中进行研磨,得到混 合均匀的焙烧前料;

S3,将步骤S2中的焙烧前料放入焙烧炉进行焙烧,焙烧温度为1300-1400℃,并在1300- 1400℃焙烧3-6小时,而后自然冷却到室温,得到块状样品;

S4,块状样品经研磨后得到化学通式为Mg1-xLu1-ySi2O5N:yCe3+,xMn2+表示的粉状的荧光 材料,其中Mg1-xLu1-ySi2O5N为荧光材料的基质,Ce3+、Mn2+为在基质共掺杂的发光离子;表示 组份比的x、y分别为0<x<0.3、0<y<0.04,所述荧光材料具有位于其激发光谱的320nm和 355nm位置处的两个激发峰。

5.根据权利要求4所述的一种荧光材料的制造方法,其特征在于,所述步骤S3包括以下 子步骤:

S31,将步骤S2中的所述焙烧前料放入焙烧炉;

S32,启动真空装置对焙烧炉抽真空,真空度不大于5Pa,并维持不少于1小时,以将焙烧 前料中融入的氧气去除;

S33,通入氮气作为保护气,氮气流量为200-400ml/min;

S34,启动加热装置,以5℃/min的加热速率从室温加热至焙烧温度,所述焙烧温度为 1300-1400℃,并在1300-1400℃焙烧3-6小时;

S35,关闭加热装置,自然冷却到室温,得到块状样品;

S36,停止保护气氮气的通入。

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