[发明专利]一种超宽带大瞬时带宽下变频模块及其变频方法

权利要求书

1.一种超宽带大瞬时带宽下变频模块，在电路结构上，其包括低频段变频支路、高频段变频支路，所述低频段变频支路与所述高频段变频支路为对称结构，两个变频支路的一端均接收射频信号，其特征在于：在电路结构上还包括单刀双掷开关S1、中频放大支路，所述低频段变频支路为低频段二次变频支路，所述高频段变频支路为高频段二次变频支路，两个二次变频支路的另一端均连接单刀双掷开关S1，由单刀双掷开关S1选择其中一个二次变频支路连接至所述中频放大支路；

所述中频放大支路包括放大器A5～A7、驻波器N7、滤波器Z2～Z3；放大器A5的一端连接单刀双掷开关S1，放大器A5的另一端依次经由滤波器Z2、放大器A6、驻波器N7、放大器A7连接滤波器Z3的一端，滤波器Z3的另一端作为所述中频放大支路的信号输出端。

2.如权利要求1所述的超宽带大瞬时带宽下变频模块，其特征在于：所述低频段二次变频支路包括放大器A1～A4、驻波器N1～N6、变频器M1～M2、滤波器Z1；放大器A1的一端作为所述射频信号的输入端，放大器A1的另一端依次经由驻波器N1、变频器M1、驻波器N2、放大器A2、滤波器Z1、驻波器N3、变频器M2、驻波器N4连接单刀双掷开关S1；放大器A3的一端作为变频器M1的本振信号的输入端，放大器A3的另一端经由驻波器N5连接变频器M1；放大器A4的一端作为变频器M2的本振信号的输入端，放大器A4的另一端经由驻波器N6连接变频器M2。

3.如权利要求1所述的超宽带大瞬时带宽下变频模块，其特征在于：在机械结构上，所述超宽带大瞬时带宽下变频模块的腔体采用上下分腔的方式分成上腔、下腔，上腔、下腔之间采用绝缘子对穿连接。

4.如权利要求3所述的超宽带大瞬时带宽下变频模块，其特征在于：所述上腔由内而外设置内盖板、外盖板，所述外盖板密封采用激光封焊，并使用铝合金壳体屏蔽和密封。

5.如权利要求4所述的超宽带大瞬时带宽下变频模块，其特征在于：所述上腔设置有电源、绝缘子、微波信号线、控制及电源接口，所述电源与所述绝缘子之间的连接使用金丝球焊进行键合，所述微波信号线采用金丝楔焊进行键合，所述控制及电源接口通过J30J与所述下腔的微带板连接。

6.一种如权利要求1所述的超宽带大瞬时带宽下变频模块的超宽带大瞬时带宽下变频方法，其特征在于：在电路上，将射频信号的频率划分为高频段和低频段，在二次变频后通过单刀双掷开关S1输出一路中频信号，其中，低频段二次变频是所述射频信号经过低频段二次变频支路的二次变频后，再通过单刀双掷开关S1至中频放大支路的过程；高频段二次变频是所述射频信号经过高频段二次变频支路的二次变频后，再通过单刀双掷开关S1至所述中频放大支路的过程；所述中频放大支路是把中频信号进行滤波放大的过程；所述中频放大支路的信号传输方向与两个二次变频支路的信号传输方向相反。

7.如权利要求6所述的超宽带大瞬时带宽下变频方法，其特征在于：所述低频段二次变频支路包括放大器A1～A4、驻波器N1～N6、变频器M1～M2、滤波器Z1；所述射频信号经过放大器A1进行放大，进入驻波器N1经改善驻波特性送至变频器M1进行变频，变频器M1所需的本振信号经过放大器A3放大、驻波器N5驻波调整后达到变频器M1，下变频至一中频，然后经过驻波器N2调整驻波特性，经过放大器A2进行放大，再经过带通滤波器Z1滤除干扰后，经过驻波器N3改善驻波特性，进入变频器M2进行变频，变频器M2的本振信号经过放大器A4放大、驻波器N6驻波调整后达到变频器M2，变频至二中频后，经过驻波器N4改善驻波进入单刀双掷开关S1，进入所述中频放大支路。

8.如权利要求6所述的超宽带大瞬时带宽下变频方法，其特征在于：所述中频放大支路包括放大器A5～A7、驻波器N7、滤波器Z2～Z3；来自低频段变频支路和高频段变频支路的二中频信号经单刀双掷开关S1进入中频放大支路，经过放大器A5进行放大，再经过低通滤波器Z2滤除本振和高频交调后，进入放大器A6放大，经驻波器N7改善驻波特性送至放大器A7放大，经带通滤波器Z3输出中频信号。

9.如权利要求6所述的超宽带大瞬时带宽下变频方法，其特征在于：在结构工艺上，将所述超宽带大瞬时带宽下变频模块的腔体采用上下分腔的方式分成上腔、下腔，上腔、下腔之间采用绝缘子对穿连接；所述上腔由内而外设置内盖板、外盖板，所述外盖板密封采用激光封焊，并使用铝合金壳体屏蔽和密封；所述上腔设置有电源、绝缘子、微波信号线、控制及电源接口，所述电源与所述绝缘子之间的连接使用金丝球焊进行键合，所述微波信号线采用金丝楔焊进行键合，所述控制及电源接口通过J30J与所述下腔的微带板连接。