[发明专利]一种数据管理方法及装置有效
申请号: | 201510815574.9 | 申请日: | 2015-11-23 |
公开(公告)号: | CN105373350A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 张红蕾;谢晓辉;李志刚 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;蒋雅洁 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据管理 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及存储器技术领域,具体涉及一种数据管理方法及装置。
背景技术
固态硬盘(SSD,SolidStateDrives)上存放时间很久的文件读取速度将急 剧下降,其主要原因是长期不访问的数据保存单元不变,数据保存单元的充电 电荷会随时间衰减,导致SSD在获取正确数据时不断地读取-重试,使读取时 间变长,进而导致了整体读取性能的下降。但是,这种情况只会发生在其内部 数据保存单元无数据变化的情况下,如果这个单元的数据随后迁移了或者被覆 写了,就不会有性能下降的问题
现有的解决方法一般是通过定时(比如每个月)把未写入的块执行一次刷 新(即读取出来,重写一遍);然而,这种解决方法并没有从根本上解决整体读 取性能下降的问题,由于强制的刷新数据将涉及所有数据的重写,所以当数据 量较大时,会比较费时间。
发明内容
有鉴于此,本发明期望提供一种数据管理方法及装置,能减少刷新的数量, 并保证读取速度,提高用户的使用体验。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供了一种数据管理方法,所述方法包括:
检测存储器中N个存储单元的状态参数,其中,所述状态参数包括与所述 存储器使用程度相关的第一状态参数,以及与所述N个存储单元数据存储时间 相关的第二状态参数;
基于状态参数确定所述N个存储单元的损耗值;
基于所述损耗值对所述存储单元中的数据进行处理。
上述方案中,优选地,所述第一状态参数用于表征当前存储单元的擦除次 数和/或所存储的数据的冷热程度;所述第二状态参数用于表示距离上一次写入 当前存储单元数据的时间间隔。
上述方案中,优选地,所述基于状态参数确定所述N个存储单元的损耗值, 包括:
获取各个存储单元的第一状态参数所对应的第一权重参数;
获取各个存储单元的第二状态参数所对应的第二权重参数;
根据第一状态参数、第一权重参数、第二状态参数、第二权重参数确定每 个存储单元的损耗值;
其中,损耗值的计算公式为:
损耗值=第一权重参数*第一状态参数+第二权重参数*第二状态参数。
上述方案中,优选地,所述基于所述损耗值对所述存储单元中的数据进行 处理,包括:
满足第一预设条件时,在数据存储单元间进行数据交换操作;或者,
满足第二预设条件时,将数据存储单元中的数据搬移至空闲存储单元中。
上述方案中,优选地,所述满足第一预设条件时,在数据存储单元间进行 数据交换操作,包括:
当数据存储单元中的最大损耗值与数据存储单元中的最小损耗值之间的差 值大于等于第一阈值时,将损耗值最大的数据存储单元中的数据与损耗值最小 的数据存储单元中的数据进行交换。
上述方案中,优选地,所述满足第二预设条件时,将数据存储单元中的数 据搬移至空闲存储单元中,包括:
当数据存储单元中的最大损耗值与空闲存储单元中的最小损耗值之间的差 值大于等于第二阈值,且数据存储单元中的最小损耗值与空闲存储单元中的最 大损耗值之间的差值大于等于第三阈值时,将损耗值最大的数据存储单元中的 数据搬移至损耗值最小的空闲存储单元中。
上述方案中,优选地,所述方法还包括:
若在预定时间阈值范围内未对第一数据存储单元中的数据进行均衡操作, 则将所述第一数据存储单元的数据写入当前损耗值最小的空闲存储单元或与当 前损耗值最小的数据存储单元进行数据交换;其中,所述第一数据存储单元是 指在预定时间阈值范围内,损耗值均小于数据存储单元中的最大损耗值但平均 损耗值大于第四阈值的数据存储单元。
本发明还提供了一种数据管理装置,所述装置包括:
传感器,用于检测存储器中N个存储单元的状态参数,其中,所述状态参 数包括与所述存储器使用程度相关的第一状态参数,以及与所述N个存储单元 数据存储时间相关的第二状态参数;
第一处理器,用于基于状态参数确定所述N个存储单元的损耗值;
第二处理器,用于基于所述损耗值对所述存储单元中的数据进行处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联想(北京)有限公司,未经联想(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510815574.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。