[发明专利]功率转换装置

权利要求书

1.一种功率转换装置，其特征在于，具有：

开关电路，在该开关电路中，多个开关部与向该开关部施加直流电压的直流电源输入端子并联连接，其中，该开关部是将第一开关元件和第二开关元件串联连接而成的，该第一开关元件的栅极电压阈值为第一规定值，该第二开关元件的栅极电压阈值为比所述第一规定值高的第二规定值；以及

控制部，其将所述第一开关元件及所述第二开关元件控制为接通或断开，

在所述开关部中，所述第一开关元件与所述直流电源输入端子的正极侧连接，所述第二开关元件与所述直流电源输入端子的负极侧连接，

该功率转换装置具有第三开关元件，该第三开关元件位于所述开关电路的正极侧和所述直流电源输入端子的正极侧之间，栅极电压阈值为比所述第一规定值高的第三规定值，

所述串联连接的第一开关元件和第二开关元件之间的任意一个连接点与负载连接，所述控制部在使所述第三开关元件接通后，进行使第一及第二开关元件接通或断开的控制，以向所述负载施加期望的电压。

2.根据权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，

该功率转换装置具有第三开关元件，该第三开关元件位于所述开关电路的负极侧和所述直流电源输入端子的负极侧之间，栅极电压阈值为比所述第一规定值高的第三规定值。

3.一种功率转换装置，其特征在于，具有：

开关电路，在该开关电路中，多个开关部与向该开关部施加直流电压的直流电源输入端子并联连接，其中，该开关部是将第一开关元件和第二开关元件串联连接而成的，该第一开关元件的栅极电压阈值为第一规定值，该第二开关元件的栅极电压阈值为比所述第一规定值高的第二规定值；以及

控制部，其将所述第一开关元件及所述第二开关元件控制为接通或断开，

在所述开关部中，所述第一开关元件与所述直流电源输入端子的负极侧连接，所述第二开关元件与所述直流电源输入端子的正极侧连接，

该功率转换装置具有第三开关元件，该第三开关元件位于所述开关电路的负极侧和所述直流电源输入端子的负极侧之间，栅极电压阈值为比所述第一规定值高的第三规定值，

所述串联连接的第一开关元件和第二开关元件之间的任意一个连接点与负载连接，所述控制部在使所述第三开关元件接通后，进行使第一及第二开关元件接通或断开的控制，以向所述负载施加期望的电压。

4.根据权利要求3所述的功率转换装置，其特征在于，

该功率转换装置具有第三开关元件，该第三开关元件位于所述开关电路的正极侧和所述直流电源输入端子的正极侧之间，栅极电压阈值为比所述第一规定值高的第三规定值。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

与所述第二开关元件反向并联地连接二极管。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

与所述第三开关元件反向并联地连接二极管。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第二开关元件及所述第三开关元件是栅极电压阈值高于2V的开关元件。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第一开关元件是栅极阈值电压小于或等于2V的开关元件。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第二开关元件及所述第三开关元件是由硅制作出的IGBT或MOSFET。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第一开关元件是作为宽带隙半导体的SiC或GaN的单极开关元件，其中，SiC为碳化硅，GaN为氮化镓。