[发明专利]用于快速热处理腔室的透明反射板有效
申请号: | 201510817798.3 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN105374717B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 布莱克·R·凯尔梅尔;阿伦·M·亨特;亚历山大·N·勒纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 快速 热处理 透明 反射 | ||
1.一种用于处理基板的设备,所述基板具有前侧和后侧,所述设备包括:
处理区,所述处理区位于腔室内,所述腔室由邻近辐射加热源的窗口而限定于一侧上,所述辐射加热源位于所述处理区的外侧;及
反射板,所述反射板相对所述辐射加热源而设置,所述反射板包括主体和反射涂层,所述主体由光学地透明的陶瓷材料所制成,所述反射板具有最接近所述辐射加热源的第一表面和最远离所述辐射加热源的第二表面,所述反射涂层位于所述反射板的所述第二表面上,所述光学地透明的陶瓷材料包含掺杂剂以增加由所述反射板所吸收的热量,
其中所述掺杂剂选自稀土材料、氢氧基和上述材料的结合,
其中所述光学地透明的陶瓷材料选自氧化铝、碳化硅和蓝宝石,
其中所述反射板安装于底板以提供反射板组件,
其中所述反射板组件包括支架以将所述反射板和所述底板以一分隔关系而分离。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述反射板的所述主体具有从所述第二表面延伸至所述反射板的所述主体的多个孔。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述孔间隔开以容纳高温计探针。
4.如权利要求3所述的设备,其中所述孔仅延伸经过所述反射涂层。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述反射板和所述底板以低于约5mm而间隔。
6.如权利要求1所述的设备,其中所述反射涂层包括多个介电层。
7.如权利要求4所述的设备,其中所述底板包括多个开口,所述开口与在所述反射板中的所述孔对齐。
8.一种用于快速热处理腔室的反射板组件设备,所述反射板组件设备包括:
底板,所述底板具有穿过所述底板的多个开口以容纳高温计探针,所述底板包括多个支架;及
反射板,所述反射板包括由陶瓷材料所制成的主体和位于所述反射板的一侧上的反射涂层,和延伸经过至少所述反射涂层的多个孔,所述孔与经过所述底板的所述开口对齐,其中所述反射板组设至所述底板,使得在所述底板中的所述开口和所述反射板中的所述孔对齐,
其中所述多个支架在所述底板和所述反射板之间维持一分隔关系,
其中所述陶瓷材料包含掺杂剂以增加由所述反射板所吸收的热量,其中所述掺杂剂选自稀土材料、氢氧基和上述材料的结合,
其中所述陶瓷材料为光学地透明,并且其中所述陶瓷材料选自氧化铝、碳化硅和蓝宝石。
9.如权利要求8所述的设备,其中具有所述涂层的所述侧面对所述底板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造