[发明专利]小型双陷波超宽带天线

权利要求书

1.一种小型双陷波超宽带天线，包括介质基板(1)、印制在该介质基板(1)上表面的辐射贴片(2)和下表面的地板(3)；其特征在于：所述辐射贴片(2)采用阶跃结构，位于介质基板(1)上表面下部的纵向轴线上；在该辐射贴片(2)的两侧对称设置有蘑菇型EBG结构(4)；所述地板(3)的中间位置设置有宽缝隙，用于改善阻抗匹配特性；在该地板(3)的上部两侧对称蚀刻有四臂螺旋缝隙(31)；所述蘑菇型EBG结构(4)上蚀刻有曲流弯折缝隙，用于实现小型化；该蘑菇型EBG结构(4)与地板(3)通过金属化过孔(5)连接。

2.根据权利要求1所述的小型双陷波超宽带天线，其特征在于：所述辐射贴片(2)和地板(3)通过SMA接头相连。

3.根据权利要求1所述的小型双陷波超宽带天线，其特征在于：所述辐射贴片(2)由矩形贴片(21)和微带馈线(22)组成，其中矩形贴片(21)的上边沿中间位置蚀刻有凹槽，在其下部两个角的位置设置有切角。

4.根据权利要求1所述的小型双陷波超宽带天线，其特征在于：所述蘑菇型EBG结构(4)采用蚀刻有四个曲流弯折缝隙的正方形结构，该四个曲流弯折缝隙围绕蘑菇型EBG结构(4)的中心旋转90°排布；在该蘑菇型EBG结构(4)的中心位置蚀刻有连接孔。

5.根据权利要求1所述的小型双陷波超宽带天线，其特征在于：所述蘑菇型EBG结构(4)的正方形的边长尺寸和两个蘑菇型EBG结构(4)之间的间隙尺寸由以下公式确定：

L＝μ₀h

C=Wϵ0(1+ϵr)πcosh-1(W+gg)]]>

其中，h是介质基板(1)的高度，ε_r是介质基板(1)的相对介电常数；W和g分别是蘑菇型EBG结构(4)边长和两个蘑菇型EBG结构(4)之间的间隙，L是电感值，C是电容值，ω_陷波是需要陷波的频率。

6.根据权利要求1所述的小型双陷波超宽带天线，其特征在于：所述四臂螺旋缝隙(31)的单臂缝隙展开长度由以下公式确定：

ϵeff=ϵr+12]]>

其中，ε_eff是等效介电常数，c是光速，ε_r是介质基板(1)的相对介电常数，L_槽是四臂螺旋缝隙(31)的单臂缝隙展开长度，f_陷波是需要陷波的频率。

7.根据权利要求1所述的小型双陷波超宽带天线，其特征在于：所述金属化过孔(5)的上端与蘑菇型EBG结构(4)的连接孔相连。