[发明专利]纵型霍尔元件

权利要求书

1.一种纵型霍尔元件，其特征在于，具有：

半导体衬底；

N型的半导体层，其设置在所述半导体衬底上；

N型的埋入层，其设置在所述半导体层的底部；

第1电流供给端，其设置在所述埋入层的上方；

一组第2电流供给端，它们以所述第1电流供给端为中心，对称配置在所述第1电流供给端的两侧，并从所述半导体层的表面向内部设置；

一组电压输出端，它们以与连结所述一组第2电流供给端的直线垂直的方式，以所述第1电流供给端为中心，对称配置在所述第1电流供给端的两侧，并从所述半导体层的表面向内部设置；以及

沟槽，其分别设置于所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的一方之间且远离所述第1电流供给端和所述一组电压输出端中的一方的区域、以及所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的另一方之间且远离所述第1电流供给端和所述一组电压输出端中的另一方的区域的所述半导体层，所述沟槽的内部被绝缘膜填充，

所述沟槽的深度与所述一组电压输出端的扩散深度相同或者比该一组电压输出端的扩散深度深。

2.根据权利要求1所述的纵型霍尔元件，其特征在于，

所述一组电压输出端的深度比所述第1电流供给端的扩散深度深。

3.根据权利要求1所述的纵型霍尔元件，其特征在于，

所述一组电压输出端的深度与所述第1电流供给端的扩散深度相同或者比该第1电流供给端的扩散深度浅。

4.一种纵型霍尔元件，其特征在于，具有：

半导体衬底；

N型的半导体层，其设置在所述半导体衬底上；

N型的埋入层，其设置在所述半导体层的底部；

第1电流供给端，其设置在所述埋入层的上方；

一组第2电流供给端，它们以所述第1电流供给端为中心，对称配置在所述第1电流供给端的两侧，并从所述半导体层的表面向内部设置；

一组电压输出端，它们以与连结所述一组第2电流供给端的直线垂直的方式，以所述第1电流供给端为中心，对称配置在所述第1电流供给端的两侧，并从所述半导体层的表面向内部设置；以及

场绝缘膜，其分别设置于所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的一方之间且远离所述第1电流供给端和所述一组电压输出端中的一方的区域、以及所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的另一方之间且远离所述第1电流供给端和所述一组电压输出端中的另一方的区域的所述半导体层，

所述场绝缘膜距所述半导体层的表面的深度与所述一组电压输出端距所述半导体层的表面的扩散深度相同或者比该一组电压输出端距所述半导体层的表面的扩散深度深。

5.根据权利要求4所述的纵型霍尔元件，其特征在于，

所述一组电压输出端的深度比所述第1电流供给端的扩散深度深。

6.根据权利要求4所述的纵型霍尔元件，其特征在于，

所述一组电压输出端的深度与所述第1电流供给端的扩散深度相同或者比该第1电流供给端的扩散深度浅。

7.一种纵型霍尔元件，其特征在于，具有：

半导体衬底；

N型的半导体层，其设置在所述半导体衬底上；

N型的埋入层，其设置在所述半导体层的底部；

第1电流供给端，其设置在所述埋入层的上方；

一组第2电流供给端，它们以所述第1电流供给端为中心，对称配置在所述第1电流供给端的两侧，并从所述半导体层的表面向内部设置；

一组电压输出端，它们以与连结所述一组第2电流供给端的直线垂直的方式，以所述第1电流供给端为中心，对称配置在所述第1电流供给端的两侧，并从所述半导体层的表面向内部设置；以及

P型的扩散层，其分别设置于所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的一方之间且远离所述第1电流供给端和所述一组电压输出端中的一方的区域、以及所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的另一方之间且远离所述第1电流供给端和所述一组电压输出端中的另一方的区域的所述半导体层，

所述P型的扩散层的深度比所述一组电压输出端的扩散深度深。