[发明专利]一种功率模块

权利要求书

1.一种功率模块，包括正电极(1)、负电极(2)、输出电极(3)、上桥臂集合、下桥臂集合和过渡铜层(6)，其特征在于，所述上桥臂集合包括上桥臂芯片铜层(4)、上桥臂接线铜层(5)以及安装在上桥臂芯片铜层(4)上的上桥臂芯片单元(7)，所述上桥臂接线铜层(5)位于上桥臂芯片铜层(4)与过渡铜层(6)之间，所述上桥臂芯片单元(7)通过邦定线与上桥臂接线铜层(5)相连；从正电极(1)流出的工作电流(11)通过上桥臂芯片铜层(4)流入上桥臂芯片单元(7)，再通过邦定线流入上桥臂接线铜层(5)，最终流至输出电极(3)；由负电极(2)流出的续流电流(21)通过过渡铜层(6)流入下桥臂集合，最终流至输出电极(3)。

2.根据权利要求1所述的一种功率模块，其特征在于：所述下桥臂集合包括下桥臂芯片铜层(9)、下桥臂接线铜层(10)以及安装在下桥臂芯片铜层(9)上的下桥臂芯片单元(8)。

3.根据权利要求2所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括集成于一体的上桥臂功率开关和上桥臂内部二极管，且上桥臂功率开关和上桥臂内部二极管并联；下桥臂芯片单元(8)包括集成于一体的下桥臂功率开关和下桥臂内部二极管，且下桥臂功率开关和下桥臂内部二极管并联；由负电极(2)流出的续流电流(21)通过过渡铜层(6)、下桥臂接线铜层(10)流入下桥臂内部二极管的正极、下桥臂内部二极管的负极，然后经下桥臂铜层(9)传输至输出电极(3)。

4.根据权利要求2所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括上桥臂功率开关和与之并联的上桥臂外部二极管，下桥臂芯片单元(8)包括下桥臂功率开关和与之并联的下桥臂外部二极管；由负电极(2)流出的续流电流(21)通过过渡铜层(6)、下桥臂接线铜层(10)流入下桥臂外部二极管的正极、下桥臂外部二极管的负极，然后经下桥臂芯片铜层(9)传输至输出电极(3)。

5.根据权利要求2所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括并联的上桥臂功率开关、上桥臂内部二极管和上桥臂外部二极管，且上桥臂功率开关和上桥臂内部二极管集成于一体；下桥臂芯片单元(8)包括并联的下桥臂功率开关、下桥臂内部二极管和下桥臂外部二极管，且下桥臂功率开关和下桥臂内部二极管集成于一体；由负电极(2)流出的续流电流(21)通过过渡铜层(6)、下桥臂接线铜层(10)流入下桥臂外部二极管的正极和下桥臂内部二极管的正极、下桥臂外部二极管的负极和下桥臂内部二极管的负极，然后经下桥臂芯片铜层(9)传输至输出电极(3)。

6.根据权利要求1所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括上桥臂功率开关；所述上桥臂功率开关和下桥臂功率开关均为MOS管；从正电极(1)流出的工作电流(11)通过上桥臂芯片铜层(4)流经上桥臂功率开关的漏极、上桥臂功率开关的源极，经邦定线流入上桥臂接线铜层(5)，最终流至输出电极(3)。

7.根据权利要求1所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括上桥臂功率开关；所述上桥臂功率开关和下桥臂功率开关均为IGBT；从正电极(1)流出的工作电流(11)通过上桥臂芯片铜层(4)流经上桥臂功率开关的集电极、上桥臂功率开关的发射极，经邦定线流入上桥臂接线铜层(5)，最终流至输出电极(3)。

8.根据权利要求1所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括上桥臂功率开关；所述上桥臂功率开关为MOS管，下桥臂功率开关为IGBT；从正电极(1)流出的工作电流(11)通过上桥臂芯片铜层(4)流经上桥臂功率开关的漏极、上桥臂功率开关的源极，经邦定线流入上桥臂接线铜层(5)，最终流至输出电极(3)。

9.根据权利要求1所述的一种功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元(7)包括上桥臂功率开关；所述上桥臂功率开关为IGBT，下桥臂功率开关为MOS管；从正电极(1)流出的工作电流(11)通过上桥臂芯片铜层(4)流经上桥臂功率开关的集电极、上桥臂功率开关的发射极，经邦定线流入上桥臂接线铜层(5)，最终流至输出电极(3)。