[发明专利]能降低米勒电容的超结IGBT器件

权利要求书

1.一种能降低米勒电容的超结IGBT 器件，包括具有第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板的漂移区内设置若干呈交错分布的第一导电类型柱以及第二导电类型柱；其特征是：在所述第二导电类型柱内的上部设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区内设有第一导电类型源区，第一导电类型源区、第二导电类型基区与半导体基板上的发射极金属（1）欧姆接触，在第二导电类型基区内用于形成导电沟道区域的上方覆盖有多晶硅栅极（5），所述多晶硅栅极（5）通过覆盖在第二导电类型基区、第一导电类型柱上的绝缘层（4）与第一导电类型源区、第二导电类型基区绝缘隔离，在绝缘层（4）上覆盖有浮空栅极（2），所述浮空栅极（2）通过绝缘层（4）与多晶硅栅极（5）绝缘隔离，且浮空栅极（2）上覆盖有介电质层（3），浮空栅极（2）、多晶硅栅极（5）通过介电质层（3）与发射极金属（1）绝缘隔离；多晶硅栅极（5）与上方的发射极金属（1）间具有绝缘层（4）、浮空栅极（2）以及介电质层（3），浮空栅极（2）的长度与 绝缘层（4）的长度相一致。

2.根据权利要求1 所述的能降低米勒电容的超结IGBT 器件，其特征是：在所述半导体基板的漂移区下方设有第一导电类型缓冲层，所述第一导电类型缓冲层上设有第二导电类型集电区，所述第二导电类型集电区上设置欧姆接触的集电极金属（12）。

3.根据权利要求1 所述的能降低米勒电容的超结IGBT 器件，其特征是：所述半导体基板包括硅衬底。