[发明专利]宇航级VMOS管功能性完好的测试方法

权利要求书

1.一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试设备采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。

2.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试条件包括：

-整个测试在防静电工作区内进行；

-整个测试在离子风状态下进行；

-VMOS的阻抗特性参数的测量必须在环境温度20±5℃、环境湿度30-75％的条件

下进行；

-防静电腕带接地系统电阻的大小取1MΩ～10MΩ；

-防静电工作区接地电阻小于4Ω。

3.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试人员要求包括：

-测试前，测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，并戴好防静电腕带和防静电手套；

-测试人员在进入防静电工作区测试前将人体静电释放，触摸静电释放棒直到静电释放完毕。

4.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试技术要求包括：

-用MF500型指针式万用表的表笔将VMOS管的源极S、漏极D、栅极G这三个电极同时短路，使栅极的电荷释放；

-每次测量完毕，将栅极与源极间短路，以释放极间电荷。

5.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试方法为采用MF500型指针式万用表测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值，若这些电阻值与要求值相符，则认为VMOS管功能完好，否则，则认为VMOS管功能不完好。

6.根据权利要求5所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，所述测试方法，包括如下步骤：

测试阻抗参数前，将MF500型指针式万用表的红表笔和黑表笔短接一次，测量栅极与漏极间阻值R_GD的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录R_GD的值，R_GD测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；

将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与栅极间阻值R_DG的值，先将黑表笔连接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录R_DG的值，R_DG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；

将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量R_GS的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录R_GS的阻值，R_GS测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从源极移开；

将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与栅极间阻值R_SG的值，先将黑表笔连接至源极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录R_SG的值，R_SG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；

将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与源极间阻值R_DS的值，先将红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录R_DS的值；

将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与漏极间阻值R_SD的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录R_SD的值。

7.根据权利要求6所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，裸片测试时，N型沟道VMOS管需满足R_GD、R_DG、R_GS、R_SG、R_DS阻抗∞，R_SD几千欧至十几千欧；裸片测试时，P型沟道VMOS管需满足R_GD、R_DG、R_GS、R_SG、R_SD阻抗∞，R_DS几千欧至十几千欧。