[发明专利]发光二极管制作方法

权利要求书

1.发光二极管制作方法，包括步骤：

S1、提供一衬底，在衬底上依次沉积N型层、发光层、P型层；

S2、进行第一次光罩，在P型层上依次生长反射层和保护层，剥离形成图形反射层，露出部分P型层；

S3、在露出的部分P型层以及保护层上生长绝缘层；

S4、进行第二次光罩，从绝缘层蚀刻贯穿至露出部分N型层，形成N型电极窗口；同时从绝缘层蚀刻贯穿至露出部分保护层，形成P型电极窗口；

S5、进行第三次光罩，分别在N型电极窗口和P型电极窗口内制作接触电极。

2.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述反射层的材料为Ni、Ag和Ti中的一种或复数种组合。

3.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述保护层的材料为Pt。

4.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述保护层的厚度为d1，其中2500Å≤d1≤5000 Å。

5.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述绝缘层的材料为SiN或SiO₂。

6.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述绝缘层的厚度为d2，其中8000 Å≤d2≤12000 Å。

7.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述步骤S4中的蚀刻，包含湿法蚀刻和干法蚀刻。

8.根据权利要求7所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述湿法蚀刻采用的是BOE蚀刻液，蚀刻时间为t1，其中6min≤t1≤10min。

9.根据权利要求7所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述干法蚀刻采用的是两段蚀刻，首段蚀刻采用的是F^-气体，末段蚀刻采用的是Cl^-气体。

10.根据权利要求9所述的发光二极管制作方法，其特征在于：所述首段蚀刻时间为t21，其中2min≤t21≤5min，所述末段蚀刻时间为t22，其中8min≤t22≤12min。