[发明专利]一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液在审
| 申请号： | 201510820117.9 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105349290A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘彤;杨俊;刘京明;董志远;赵有文 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/60 | 分类号： | C11D7/60;C11D7/08;C11D7/26 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓单晶 抛光 腐蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，所述溶剂为去离子水；所述氧化剂为硫酸；所述腐蚀剂为盐酸；所述缓冲剂为乙酸。
2.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述硫酸的体积百分数为5%-10%。
3.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述盐酸的体积百分数为1%-5%。
4.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述乙酸体积百分数为20%-25%的。
5.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液的典型pH值为4.5-5.6。
6.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述硫酸的浓度为98%。
7.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述盐酸的浓度为35%。
8.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述去离子水的电阻率为18MΩ，硫酸的体积百分数为8%，盐酸的体积百分数为3%，乙酸的体积百分数为25%，腐蚀液的pH值5.4。
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