[发明专利]缓冲存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储装置有效
申请号: | 201510820913.2 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN106776376B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 陈国荣 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/0877 | 分类号: | G06F12/0877 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲存储器 管理 方法 存储器 控制电路 单元 存储 装置 | ||
1.一种缓冲存储器管理方法,用于存储器存储装置的一缓冲存储器,其特征在于,所述存储器存储装置具有可复写式非易失性存储器模块,所述缓冲存储器管理方法包括:
在所述缓冲存储器中划分出第一区域与第二区域,其中所述第一区域与所述第二区域分别地具有连续的多个缓存单元,并且所述第一区域与所述第二区域中的该些缓存单元中的至少一部分缓存单元已暂存多个逻辑地址-物理地址映射表;
将所述第一区域设定为更新区域,对所述第一区域的该些缓存单元执行回存操作以将存储在所述第一区域的该些逻辑地址-物理地址映射表回存至所述可复写式非易失性存储器模块中;
从主机系统接收第一写入指令,其中所述第一写入指令指示将第一数据写入至第一逻辑地址,并且所述第一逻辑地址所属的第一逻辑地址-物理地址映射表已被暂存在所述第一区域的缓存单元之中的第一缓存单元中;
将所述更新区域更改为所述第二区域,写入所述第一数据至所述可复写式非易失性存储器模块,并将所述第一区域中的所述第一逻辑地址-物理地址映射表复制到所述第二区域中的缓存单元之中的第二缓存单元中;以及
更新暂存在所述第二区域中的所述第二缓存单元中的所述第一逻辑地址-物理地址映射表。
2.根据权利要求1所述的缓冲存储器管理方法,其特征在于,更新暂存在所述第二区域中的所述第二缓存单元中的所述第一逻辑地址-物理地址映射表的步骤,还包括:
将所述第二缓存单元标示为已更新状态,其中所述更新区域用以暂存多个被更新的逻辑地址-物理地址映射表。
3.根据权利要求2所述的缓冲存储器管理方法,其特征在于,还包括:
在所述第二区域的所有缓存单元都为所述已更新状态时,将所述第二区域的所有缓存单元中的该些逻辑地址-物理地址映射表回存至所述可复写式非易失性存储器模块中,重新设定所述第一区域为所述更新区域。
4.根据权利要求2所述的缓冲存储器管理方法,其特征在于,还包括:
根据所述第二区域中的缓存单元的顺序,选取所述第二区域中的第一个不为所述已更新状态的缓存单元作为所述第二缓存单元,并设定第一指标指向所述第二缓存单元;以及
在将所述第一逻辑地址-物理地址映射表复制到所述第二区域中的所述第二缓存单元之后,设定所述第一指标指向所述第二区域的缓存单元之中的另一个缓存单元,其中所述另一个缓存单元为所述第二缓存单元的后一个不为所述已更新状态的缓存单元。
5.根据权利要求2所述的缓冲存储器管理方法,其特征在于,还包括:
从所述主机系统接收第二写入指令,其中所述第二写入指令指示将第二数据写入至第二逻辑地址,并且所述第二逻辑地址所属的第二逻辑地址-物理地址映射表已被暂存在所述第二区域的缓存单元之中的第三缓存单元中;以及
将所述更新区域更改为所述第二区域,写入所述第二数据至所述可复写式非易失性存储器模块,并更新暂存在所述第二区域中的所述第三缓存单元中的所述第二逻辑地址-物理地址映射表。
6.根据权利要求2所述的缓冲存储器管理方法,其特征在于,还包括:
从所述主机系统接收第三写入指令,其中所述第三写入指令指示将第三数据写入至第三逻辑地址,并且所述第三逻辑地址所属的第三逻辑地址-物理地址映射表尚未载入至映射表区,其中从所述缓冲存储器中划分出所述映射表区,且所述映射表区划分为所述第一区域与所述第二区域;
将所述更新区域更改为所述第二区域,从所述可复写式非易失性存储器模块中载入所述第三逻辑地址-物理地址映射表,并且所述第三逻辑地址-物理地址映射表被暂存在所述第二区域的缓存单元之中的第四缓存单元中;以及
写入所述第三数据至所述可复写式非易失性存储器模块,并更新暂存在所述第二区域中的所述第四缓存单元中的所述第三逻辑地址-物理地址映射表。
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