[发明专利]一种酸洗后二极管的清洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及二极管领域，特别涉及一种酸洗后二极管的清洗工艺。

背景技术

清洗是二极管酸洗工序比较重要的部分之一，现有清洗工艺一般包括三次清洗工艺和脱水工艺，中国专利号为201210174883.9提出了一种二极管清洗工艺及其清洗设备，其工艺包括超声波清洗、超声波精洗、超声波漂洗、超声波一次脱水和超声波二次脱水，该清洗工艺是以纯水和异丙醇作为清洗脱水介质，当待清洗的二极管工件进入清洗槽内，待清洗液浸没工件后，超声波和清洗介质共同作用，清洗剂溶解工件表面的脏物，超声波轰击附在工件表面、缝隙、沟槽的脏物，加速脏物的溶解，达到既洁净和脱水的目的；但该工艺存在以下缺点：当该清洗工艺，清洗过程中脏物还会有遗留，会影响产品的高温性能。

因此，研发一种能最大限度降低环境对电子器件造成污染且能提高产品的高温性能的酸洗后二极管的清洗工艺是非常有必要的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能最大限度降低环境对电子器件造成污染且能提高产品的高温性能的酸洗后二极管的清洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种酸洗后二极管的清洗工艺，其创新点在于：包括如下步骤：

（1）超声波清洗：将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的纯水进行超声波清洗100～150s；

（2）超声波精洗：将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的纯水进行超声波精洗100～150s；

（3）超声波漂洗：将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的纯水进行超声波漂洗100～150s；

（4）无水乙醇清洗：将经上述超声波漂洗的二极管放入到无水乙醇清洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在30～40KHZ范围内，流速度控制在16～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的无水乙醇进行清洗60～120s；

（5）无水乙醇漂洗：将经上述无水乙醇清洗的二极管放入到无水乙醇漂洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在30～40KHZ范围内，流速度控制在16～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的无水乙醇进行漂洗60～120s；

（6）超声波一次脱水：将经上述无水乙醇漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的异丙醇进行超声波一次脱水100～150s；

（7）超声波二次脱水：将经超声波一次脱水的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的异丙醇进行超声波二次脱水100～150s。

本发明的优点在于：本发明酸洗后二极管的清洗工艺，采用三道高纯水超声波清洗，再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用两道超声波脱水，使产品高温性能大幅度提高；且对纯水和乙醇加热，易于溶解芯片表面的污染物，同时整个工艺流程采用特定设备，能最大限度降低环境对电子器件造成污染。

具体实施方式

下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

实施例1

本实施例酸洗后二极管的清洗工艺，包括如下步骤：