[发明专利]硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201510821437.6 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105428416A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李平;王刚;张庆伟;陈远富 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34;H01L29/423;H01L21/44 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 黑磷 晶体管 制备 方法 | ||
1.硅栅石墨烯/黑磷晶体管，包括衬底、栅电极、栅介质、源电极和漏电极，其特征在于，衬底上设置有隔离氧化硅层，隔离氧化硅层上设置有氧化硅槽，在氧化硅槽内设置有栅电极和栅介质，隔离氧化硅层和氧化硅槽上设置有石墨烯/黑磷层，在石墨烯/黑磷层上方设置有源电极和漏电极。
2.如权利要求1所述的硅栅石墨烯/黑磷晶体管，其特征在于，栅电极为多晶硅，或者为多晶硅与耐熔金属的重叠组合。
3.如权利要求1所述的硅栅石墨烯/黑磷晶体管，其特征在于，所述栅电极为耐熔金属硅化物。
4.如权利要求3所述的硅栅石墨烯/黑磷晶体管，其特征在于，所述耐熔金属为钛、钼或钴。
5.如权利要求1所述的硅栅石墨烯/黑磷晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和石墨烯/黑磷的表面上设置有钝化层。
6.硅栅石墨烯/黑磷晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
a、在衬底上形成隔离氧化硅层；
b、在隔离氧化硅层的上表面上制作氧化硅槽；
c、在氧化硅槽中填充栅电极材料；
e、对填充的栅电极材料作表面平坦化处理直至露出隔离氧化硅层；
f、对氧化硅槽中的栅电极作热处理，在栅电极表面形成薄层氧化硅作为栅介质；
g、在隔离氧化硅层的上表面和氧化硅槽的填充物表面设置石墨烯/黑磷薄膜，并图形化石墨烯/黑磷薄膜；
h、在石墨烯/黑磷薄膜表面形成源电极和漏电极；
i、在源电极、漏电极和石墨烯/黑磷的表面设置钝化层。
7.如权利要求6所述的硅栅石墨烯/黑磷晶体管的制备方法，其特征在于，步骤c中，栅电极为多晶硅，或者多晶硅与耐熔金属的复合层，或者耐熔金属硅化物。
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