[发明专利]半导体晶片的清洗方法在审
| 申请号： | 201510821566.5 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783527A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金明焕 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洗 方法 | ||
1.一种半导体晶片的清洗方法，包括以下步骤：
脱胶步骤：加入异丙醇清洗；
第一酸洗步骤：加入质量分数为0.1％～0.2％的氨基硫酸溶液，循环清洗第一预定时长；加入质量分数为0.1％～0.3％的柠檬酸溶液，清洗第二预定时长；
第二酸洗步骤：采用氢氟酸与水的比例为1：99的稀氢氟酸清洗。
2.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述脱胶步骤之前还包括用去离子水清洗晶片。
3.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述脱胶步骤之后、所述第一酸洗步骤之前还包括用去离子水清洗晶片。
4.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述第一酸洗步骤之后、所述第二酸洗步骤之前还包括用去离子水清洗晶片。
5.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：在所述第二酸洗步骤之后还包括用去离子水清洗晶片。
6.如权利要求5所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：用去离子水清洗晶片之后还包括干燥所述晶片。
7.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：所述第一酸洗步骤中，所述第一预定时长为1～3小时，所述氨基硫酸溶液的温度控制在40～50度。
8.如权利要求7所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：所述第二预定时长为0.5～1小时，并加入碱液调整所述柠檬酸溶液的pH控制在3.5～4.0。
9.如权利要求8所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：所述碱液为氨水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
