[发明专利]一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器

权利要求书

1.一种量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，

所述量子阱半导体激光外延结构包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与所述有源层堆叠排列的第一包层和第二包层；

所述有源层包括沿所述有源层与所述第一包层和所述第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、第一量子阱层、第二量子阱层以及第二波导层；

其中，所述第一量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长对应于所述外延结构所需的输出波长，所述第二量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长小于所述输出波长；

其中，所述第二量子阱层用于吸收所述第一量子阱层中泄露出来的载流子，所述载流子在所述第二量子阱层复合，并发射出被所述第一量子阱层所吸收的光子，进而重新产生可用的载流子。

2.根据权利要求1所述的量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述第二量子阱层和所述第一量子阱层由同种材料制成，所述第二量子阱层的厚度小于所述第一量子阱层的厚度。

3.根据权利要求1所述的量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述第二量子阱层和所述第一量子阱层由不同材料制成。

4.根据权利要求1所述的量子阱半导体激光外延结构，所述有源层进一步包括位于所述第一量子阱层与所述第二量子阱层之间的第一势垒层。

5.根据权利要求1所述的量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述外延结构进一步包括第一光栅结构，对应设置于所述第二量子阱层远离所述第一量子阱层的一侧，所述第一光栅结构的反射波长等于所述第二量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长。

6.根据权利要求1所述的量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述有源层进一步包括第三量子阱层，所述第三量子阱层设置于所述第一量子阱层远离所述第二量子阱层的一侧，所述第三量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长小于所述输出波长。

7.根据权利要求6所述的量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述第三量子阱层和所述第一量子阱层由同种材料制成，所述第三量子阱层的厚度小于所述第一量子阱层的厚度。

8.根据权利要求6所述的量子阱半导体激光外延结构，所述有源层进一步包括位于所述第一量子阱层与所述第三量子阱层之间的第二势垒层。

9.根据权利要求6所述的量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述外延结构进一步包括第二光栅结构，对应设置于所述第三量子阱层远离所述第一量子阱层的一侧，所述第二光栅结构的反射波长等于所述第三量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长。

10.一种量子阱激光器，其特征在于，所述量子阱激光器包括权利要求1-9任意一项所述的量子阱半导体激光外延结构。