[发明专利]一种提高真空多弧镀镀层稳定性的方法

权利要求书

1.一种提高真空多弧镀镀层稳定性的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）辉光：时间160~200s，光栅阀：开，氮气：0，氩气800~1000sccm，偏压：300~400V，占空比：50，锆靶、原子序列小于锆的金属靶关闭；

（2）非反应沉积，分两个阶段，第一阶段：时间30~70s，光栅阀：关，氮气：0，氩气150~220sccm，偏压：150~250V，占空比：50；第二阶段：时间30~70s，光栅阀：关，氮气：0，氩气150~220sccm，偏压：150~250V，占空比：50，锆靶：引弧电流60~100A，原子序列小于锆的金属靶：引弧电流50~100A；

（3）反应沉积：时间50~100s，光栅阀：关，氮气：30~90sccm，氩气90~100sccm，偏压：150~250V，占空比：50，锆靶：引弧电流60~100A，原子序列小于锆的金属靶：引弧电流50~100A。

2.根据权利要求1所述的提高真空多弧镀镀层稳定性的方法，其特征在于：所述的原子序列小于锆的金属靶包括铬靶、钛靶中的一种。

3.根据权利要求1所述的提高真空多弧镀镀层稳定性的方法，其特征在于：步骤（1）、步骤（2）、步骤（3）中均先将真空室抽至4×10^-3Pa以上的真空度。