[发明专利]一种存储器阵列的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器阵列的控制方法。

背景技术

随着存储技术的发展，出现了各种类型的存储器，如随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存储器(DRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存(Flash)等。

其中，闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。闪存因其具有便捷、存储密度高、可靠性好等优点，被广泛应用于手机、电脑、PDA、数码相机、优盘等移动和通讯设备中。

闪存作为一种半导体存储器，同样包括存储器阵列和外围电路。其中，存储器阵列包括若干个存储器单元，所述若干个存储器单元呈阵列排布，每个存储器单元具有控制栅和浮栅，所述控制栅与控制线连接，所述浮栅用于保留电荷。同一行的存储器单元共用一条字线，同一列的存储器单元共用一条位线。字线选中一行时，对不同的位线施加电压可以有效选中存储器单元。与选中的存储器单元共用位线的同一列的其他存储器单元因字线未施加相应的电压而未被选中，与选中的存储器单元共用字线的同一行的其他存储器单元因位线未施加相应的电压而未被选中。通常，未被选中存储器单元连接的字线和控制线的电压均为0V。存储器阵列通过控制线、位线和字线施加不同的工作电压，能够实现对存储器单元的读取、编程和擦除操作。

进行操作时，一般位线之间会存在电压差，电子在电压差的作用下容易进入其他未选中的存储器单元的浮栅，使其由擦除状态转为编程状态，从而造成串扰。

因此，如何解决现有的存储器阵列在对选中的存储器单元进行操作的同时，对其他存储器单元造成串扰的问题成为当前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器阵列的控制方法，以解决现有的存储器阵列在对选中的存储器单元进行操作的同时，对其他存储器单元造成串扰的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器阵列的控制方法，所述存储器阵列的控制方法包括：

所述存储器阵列通过对字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压以实现对存储器单元的读取、编程和擦除；

其中，对未选中的存储器单元连接的第一控制线和第二控制线施加的电压均为负电压。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述存储器阵列进行读取操作时，选中的存储器单元连接的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加第一电压、第二电压、第三电压、第四电压和第五电压；所述第一电压、第二电压、第三电压、第四电压和第五电压的电压范围分别为0.5V～5V、0V～3V、0V～6V、0V～0.5V、0.8V～3V。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述第一电压、第二电压、第三电压、第四电压和第五电压分别为2.5V、2.5V、4V、0V、2V。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述存储器阵列进行编程操作时，选中的存储器单元连接的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加第六电压、第七电压、第八电压、第九电压和第十电压；

所述第六电压、第七电压、第八电压、第九电压和第十电压的电压范围分别为1.0V～2V、5V～11V、2V～6V、2.5V～6V、0V～0.6V。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述第六电压、第七电压、第八电压、第九电压和第十电压分别为1.5V、8V、5V、5.5V和Vdp，其中，所述Vdp为固定电流的编程电压，所述Vdp的电压范围在0.2V到0.6V之间。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述存储器阵列进行擦除操作时，选中的存储器单元连接的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加第十一电压、第十二电压、第十三电压、第十四电压和第十五电压；

所述第十一电压、第十二电压、第十三电压、第十四电压和第十五电压的电压范围分别为5V～10V、-10V～-5V、-10V～-5V、0V～0.5V、0V～0.5V。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述第十一电压、第十二电压、第十三电压、第十四电压和第十五电压分别为8V、-7V、-7V、0V、0V。

优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，对未选中的存储器单元连接的控制线施加的电压均在-3V与-0.5V之间。