[发明专利]一种卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡的持具工装及方法

权利要求书

1.一种卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡方法，其特征在于，采用卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡的持具工装来完成，所述持具工装包括芯片翻边托盘、定位片及定位片卡槽、持具把手，包括步骤如下：

1)准备

打开搪锡锅，将锡锅温度设置为预定温度；

2)定位片安装

根据待搪锡芯片尺寸，选择合适的定位片，通过定位片卡槽，安装至持具托盘；

3)芯片放置

使用防静电镊子，夹取待搪锡芯片，将芯片焊盘向下置于持具窗口，焊盘需完全对准定位片开口槽；

4)浸助焊剂

手握持具把手，将芯片浸于助焊剂溶液中，待焊盘完全浸润后即抬起；

5)搪锡

一手握住持具把手，另一手持防静电镊子轻压芯片顶部，将芯片轻轻浸入锡锅，将焊盘完全浸入锡锅液面，数秒后提起，芯片焊盘离开液面前，将握持把手的手食指抵住刮刀握杆，将刮刀沿开口槽滑动一个来回，使焊盘锡量均匀；

6)清洗

将搪完锡的芯片自然冷却至室温，并用蘸无水乙醇的无尘布擦拭焊盘。

2.根据权利要求1所述的卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡方法，其特征在于，所述定位片为可更换的定位片，适应于不同封装尺寸的VMOS管进行搪锡。

3.根据权利要求1所述的卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡方法，其特征在于，所述持具边缘进行折边处理，确保搪锡过程中，焊锡不会污染非焊盘处的器件本体。

4.根据权利要求1所述的卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡方法，其特征在于，所述持具采用窗口式设计，方便拾取芯片。

5.根据权利要求1所述的卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡方法，其特征在于，所述定位片底部设置刮刀，用于控制VMOS管芯片底部搪锡后的锡层平整度与光洁度。

6.根据权利要求1所述的卫星用VMOS管芯片锡锅搪锡方法，其特征在于，所述步骤1)中，锡锅温度设置为250℃±1℃。