[发明专利]一种仿生结构立方氮化硼涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201510822743.1 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106756781B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;蒋春磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 立方氮化硼 仿生结构 复合层 掺杂 高硬层 韧性层 制备 多层复合结构 立方氮化硼层 真空镀膜技术 过渡金属 交替沉积 基底 涂覆 | ||
1.一种仿生结构立方氮化硼涂层，所述仿生结构立方氮化硼涂层涂覆在基底上，其特征在于，所述仿生结构立方氮化硼涂层由底部的韧性层和顶部的高硬层构成，所述高硬层为立方氮化硼层，所述韧性层为M2层与M1Bx:M2掺杂复合层交替沉积形成的多层复合结构，且所述M1Bx:M2掺杂复合层为M2掺杂M1Bx形成的复合层，其中，所述M1、M2为相同或不同的过渡金属，所述x的取值范围为：0.5≤x≤4。
2.如权利要求1所述的仿生结构立方氮化硼涂层，其特征在于，在所述韧性层和所述基底之间含有金属G过渡层，所述G为过渡金属，且所述G、M1、M2相同或不同。
3.如权利要求1所述的仿生结构立方氮化硼涂层，其特征在于，所述高硬层和韧性层之间含有M1-B-N中间层。
4.如权利要求1-3任一所述的仿生结构立方氮化硼涂层，其特征在于，所述M1Bx:M2掺杂复合层中，第一层及最后一层均为M1Bx:M2掺杂复合层。
5.如权利要求2所述的仿生结构立方氮化硼涂层，其特征在于，所述M1、M2、G为元素周期表IVB、VB、VIB或VIIB族金属。
6.如权利要求1-3任一所述的仿生结构立方氮化硼涂层，其特征在于，所述M1Bx:M2掺杂复合层中，所述M2的掺杂百分比为0.1-10at.％。
7.一种仿生结构立方氮化硼涂层的制备方法，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上沉积M1Bx:M2掺杂复合层，在所述M1Bx:M2掺杂复合层上沉积M2层；重复所述沉积M1Bx:M2掺杂复合层和M2层的步骤，得到M1Bx:M2掺杂复合层与M2层交替沉积形成的多层复合结构，其中，所述M1、M2为相同或不同的过渡金属，所述x的取值范围为：0.5≤x≤4；
在所述多层复合结构上沉积立方氮化硼层。
8.如权利要求7所述的仿生结构立方氮化硼涂层的制备方法，其特征在于，在所述基底上沉积M1Bx:M2掺杂复合层前，还包括在所述基底上沉积金属G过渡层，其中，所述G为过渡金属，且所述G、M1、M2相同或不同。
9.如权利要求7所述的仿生结构立方氮化硼涂层的制备方法，其特征在于，在所述多层复合结构上沉积立方氮化硼层前，还包括在所述多层复合结构上沉积M1-B-N中间层。
10.如权利要求7-9任一所述的仿生结构立方氮化硼涂层的制备方法，其特征在于，所述沉积采用磁控溅射方法实现。
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