[发明专利]一种测试元件组及其制作方法、阵列基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201510824468.7 申请日: 2015-11-24
公开(公告)号: CN105259722A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 詹裕程;张帅 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G01R31/27;G01R31/28
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;胡影
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 元件 及其 制作方法 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种测试元件组,包括多个待测试元件以及多个用于对所述待测试元件进行测试的测试电极,每一所述待测试元件与至少两个所述测试电极连接,其特征在于,所述多个测试电极中包括至少一个测试电极,由至少两个待测试元件共用。

2.根据权利要求1所述的测试元件组,其特征在于,所述待测试元件包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的沟道方向和第二薄膜晶体管的沟道方向相互垂直,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极均连接一测试电极,且所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管共用至少一个测试电极。

3.根据权利要求2所述的测试元件组,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的栅电极与第二薄膜晶体管的栅电极共用第一测试电极。

4.根据权利要求3所述的测试元件组,其特征在于,所述第一测试电极与所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极同层同材料设置。

5.根据权利要求2或3所述的测试元件组,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电极,与所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电极,共用第二测试电极。

6.根据权利要求5所述的测试元件组,其特征在于,所述第二测试电极与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极同层同材料设置。

7.根据权利要求1所述的测试元件组,其特征在于,所述待测试元件包括:至少两个二极管静电放电保护电路,每一所述二极管静电放电保护电路均连接两个测试电极,且至少具有一个测试电极,由至少两个二极管静电放电保护电路共用。

8.根据权利要求1所述的测试元件组,其特征在于,所述待测试元件包括:至少一个薄膜晶体管和至少一个二极管静电放电保护电路,每一所述薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极均连接有一测试电极,每一所述二极管静电放电保护电路连接两个测试电极,且具有至少一个测试电极,由至少一个薄膜晶体管和至少一个二极管静电放电保护电路共用。

9.根据权利要求8所述的测试元件组,其特征在于,所述薄膜晶体管和所述二极管静电放电保护电路的测试电极与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极或栅电极同层同材料设置。

10.一种阵列基板,其特征在于,包括形成在所述阵列基板的非显示区域的测试元件组,所述测试元件组为如权利要求1-9任一项所述的测试元件组。

11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求10所述的阵列基板。

12.一种测试元件组的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1-9任一项所述的测试元件组。

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